在经历长达两年的价格下行与产能收缩后，存储市场强势反弹。《中国经营报》记者在装机助手小程序上查询多款热门电脑内存条，发现多款内存条价格在近期都有大幅上涨。以宏碁掠夺者DDR5为例，该内存条4条及以上套条9月末价格还在6200元左右，但11月20日前后已经飙涨到8000元。
据TrendForce（集邦咨询）最新发布的存储现货价格趋势报告，受买家抢购报价影响，DRAM现货价格飙升，其中DDR5芯片在一周之内上涨30%，原因是整体供应依然紧张，且主要模组厂商继续限制出货量。NAND方面，由于现货供应有限，交易较为零星，随着市场趋紧，预计价格将进一步上涨。
更关键的是，存储器步入强劲上行周期，导致整机成本上扬，并将迫使终端定价上调，进而冲击消费市场。
多位业内人士向记者指出，本轮存储芯片涨价利好存储产业链上游和中游企业，而对下游企业则造成一定的成本压力。但在本轮上行周期中，存储设备的国产化确实迎来了加速发展的机遇。
南开大学金融发展研究院院长田利辉在接受记者采访时指出，本轮存储芯片涨价是“AI需求爆发+供给侧主动调整”的双重驱动。AI算力需求爆发，AI服务器对存储需求呈指数级增长，单台AI服务器DRAM用量是传统服务器的8倍，NAND用量达3倍。同时，三星、SK海力士等巨头为追求更高利润，将产能从传统DRAM转向HBM等高端产品，结构调整导致传统存储供给结构性紧张。此外，国际关税壁垒和原厂主动减产共同推高价格，DRAM库存周期大幅下降，市场供需严重失衡。
存储芯片涨价导致缺货潮
半导体分销商FusionWorldwide总裁托比·贡纳曼日前在接受媒体采访时透露，三星电子11月交付的32GB DDR5服务器内存条，合同价格已从9月的149美元飙升至239美元，涨幅高达60%。
TrendForce预计，作为存储芯片主要类型的DRAM，明年带来的全行业营收将达到2023年周期低谷时的4倍以上——攀升至约2310亿美元的历史新高。
内存涨价带来的缺货潮也在蔓延。TrendForce数据显示，NAND Flash方面，受合约价格陆续释出且大幅上涨的带动，NAND Flash现货价格涨势更为明显。然而，由于原厂以利润最大化为导向，释出的硅晶圆资源相当有限；同时，手中持货的厂商预期价格将持续上扬，因而惜售，导致市场出现“一货难求”的状况。
老牌存储企业华邦电总经理陈沛铭在近日举办的在线法人说明会上给出了更激进的判断：“DDR5和DDR4的缺货潮，恐怕到2027年都不会改变。”
济安研究院研究员万力向记者指出，存储芯片（包括DRAM与NAND）价格在全球范围内持续上涨，其背后的关键因素主要有三点：第一，人工智能、大数据中心、云基础设施建设加速，对大容量、高带宽存储需求爆发，推动芯片买家抢先锁货；第二，供应端未完全跟上，部分厂商转向更高端产品（如HBM、高带宽存储）或优先服务数据中心客户，使传统存储产线扩产与良率提升存在滞后；第三，终端设备厂商（如手机、笔记本电脑）已感受到内存成本上涨带来的压力，并且部分厂商公开表示成本上涨可能导致终端售价提升。“这意味着价格上涨不仅是存储行业自身的问题，也可能逐层传导至消费电子与云服务端。”万力说。
金鹰基金有关人士向记者分析，一些主要的芯片制造商将更多产能转向生产HBM和服务器专用的DDR5内存，导致消费电子的LPDDR、DDR4等产品供应锐减。此外，产业链库存周期见底，上游囤货和下游恐慌性采购等行为都在加剧存储持续涨价。
苏商银行特约研究员张思远向记者分析，在经历2022—2023年去库存后，全球存储行业库存天数从120天降至60天以下，处于历史低位。今年第三季度以来，代工厂承接大量NOR/NAND Flash急单，部分客户为保障供应转向现货市场，推动DDR416GB现货价10月环比上涨，形成“低库存+急单”的价格加速上涨循环。
下游手机厂商被迫涨价
在上述背景下，存储芯片产业链从设计、制造到封测、分销的多个环节均面临价值重估。
甬兴证券研报显示，根据存储市场资讯平台CFM闪存市场的信息，在原厂供应干预下，现货贸易端包括NAND和DRAM在内的所有资源价格快速上涨。在上游资源日益走高且供应收紧的影响下，相对应的产品生产成本大幅走高，服务器、手机、PC等各应用端的存储成品全面掀起涨价潮。目前，供应端的态度仍然是影响整个存储市场的主要因素，若未来资源端仍持续处于趋紧状态，供需天平加速向卖方倾斜，存储厂商控货惜售的情绪将更加强烈，那么后续存储成品端的价格也将延续上涨趋势。
中芯国际联合CEO赵海军近日在业绩会上表示，由于存储芯片供应短缺及价格上涨，手机、网络通信设备等行业拿货偏谨慎。
田利辉向记者分析，产业链呈现“冰火两重天”格局，影响深度各异。上游原厂利润提升，中游厂商面临成本压力，下游手机厂商被迫涨价。如传音控股（688036.SH）2025年前三季度净利润同比下降，中高端机型普遍涨价。但这也加速了国产企业的发展，国产产品也在迅速扩张市场份额。
万力向记者指出，这轮价格上涨对存储产业链有明显的“分化效应”。对于上游设计与制造厂商而言，这意味着产品议价能力提升、毛利率改善，从而增强盈利修复预期；对于中游封装测试与存储模块厂商来说，高价提供了一定利润空间，有利于提升议价地位；但对于下游终端厂商，当存储芯片成本上行而终端需求尚未同步放大，就可能出现利润被压缩或者售价被动上调。此外，若涨价预期过强但下游需求并未快速释放，则可能导致库存积压或订单延后，对中游厂商也可能形成挑战。对投资者来说，关注价格上涨是否伴随出货与回款同步，尤为重要。
格上基金研究员毕梦姌向记者指出，以智能手机行业为代表的下游厂商承受着巨大的成本压力。部分手机厂商的DRAM库存已低于三周，并暂缓了本季度的采购。另外，由于消费者对手机涨价敏感，厂商普遍采取小幅涨价、存储配置策略性下调的组合策略，如在部分机型中将运行内存从16GB降至12GB。
国内企业迎来加速发展机遇
多位受访人士在接受记者采访时表示，在本轮上行周期中，国内存储设备企业迎来了加速发展的机遇。
万力向记者指出，一方面，厂商为保障扩产需要采购更多关键设备，而国内设备企业也在政策、资金支持下加快技术推进。目前国内设备厂商在薄膜沉积、刻蚀、测试等环节取得突破，并正在推动系统级整合。另一方面，由于中美贸易摩擦和供应链风险上升，国内产业链更重视可控能力。但要注意，“快速”并非一蹴而就，在极紫外（EUV）光刻、高层数3D NAND等尖端环节，国产设备仍有一定差距。
具体来看，北方华创获得“半导体叠层结构的刻蚀方法”专利，中微公司突破新型刻蚀技术，长江存储联合中科院建成国内首条硅基光互连RAM试验线。“这些突破正推动国产存储技术从‘跟跑’向‘并跑’迈进，为应对存储芯片涨价潮提供技术支撑，也为中国半导体产业的自主可控奠定了坚实的基础。”田利辉说。
张思远向记者介绍，在刻蚀设备方面，中微公司60∶1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内3D NAND产线标配，下一代90∶1设备即将量产，技术参数对标应用材料同类产品。在薄膜沉积设备方面，北方华创LPCVD设备在长江存储232层NAND产线实现量产，覆盖率达30%；拓荆科技ALD设备进入长鑫存储19nm DDR5产线，替代东京电子设备。在量检测设备方面，中科飞测的明场纳米图形晶圆缺陷检测设备在长存三期产线通过验证，良率达99.2%，打破KLA垄断。
同时，国产存储厂商也在扩产提速。张思远介绍，长江存储武汉第三工厂预计2027年投产，规划月产能15万片，设备国产化率目标达50%；长鑫存储启动高端产品量产计划，2026年设备采购中，国产设备占比将从15%提升至35%。
田利辉表示，本轮存储芯片“超级周期”不仅带来价格上涨，更是国产存储产业链加速崛起的历史性机遇。对国内厂商而言，应把握AI存储需求爆发与国际供应链重构契机，加速技术创新与市场拓展，推动存储产业链自主可控进程迈上新台阶。
