公告日期：2026-01-14

证券代码：300726 证券简称：宏达电子 公告编号：2026-003
株洲宏达电子股份有限公司

关于控股子公司对外投资的公告

本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

一、对外投资概述

株洲宏达电子股份有限公司（以下简称“公司”）第四届董事会第十二次会议审议通过了《关于控股子公司对外投资的议案》，公司控股子公司湖南思微特科技有限公司（以下简称“思微特”）拟在无锡国家高新技术产业开发区（以下简称“无锡高新开发区”）设立子公司开展半导体特种器件芯片研究、设计、生产及封测等业务。为支撑业务落地，思微特规划建设特种器件晶圆制造封测基地，
项目计划总投资 10 亿元人民币，共分两期实施：一期自 2026 至 2028 年，预计
总投资 3 亿元，计划租用无锡市新吴区梅育路 98 号约 1.04 万平米厂房建设封测
产线；二期根据一期项目的实际投资情况及未来市场发展情况，择机建设半导体芯片流片线，计划用地约 30 亩工业用地，总投资 7 亿元。

根据《深圳证券交易所创业板股票上市规则》《公司章程》等相关规定，本次投资不涉及关联交易，也不构成《上市公司重大资产重组管理办法》规定的重大资产重组，无需提交股东会审议。

二、合作对方的基本情况

合作方名称：无锡国家高新技术产业开发区。

关联关系说明：公司及控股子公司与上述合作方均不存在关联关系。

三、拟签署《投资合作协议》的主要内容

甲方：无锡国家高新技术产业开发区管理委员会

乙方：湖南思微特科技有限公司（以下简称“思微特”）

经甲乙双方友好磋商，就乙方在甲方辖区内投资建设“思微特特种器件晶圆制造封测基地项目”（以下简称“项目”），双方本着平等自愿、互惠互利、共同发展原则，达成如下一致条款，以资共同信守：

湖南思微特科技有限公司，注册地湖南省株洲市，在无锡高新区设立子公司
开展半导体特种器件芯片研究、设计、生产及封测等业务。为支撑业务落地，公司规划建设特种器件晶圆制造封测基地，项目计划总投资 10 亿元人民币，分两
期实施：一期总投资 3 亿元，计划租用无锡市新吴区梅育路 98 号约 1.04 万平米
厂房建设封测产线；二期自建半导体芯片流片线，计划用地约 30 亩工业用地，总投资 7 亿元。

双方有责任对本协议及其他相关补充文件（如有）的内容予以保密。未经对方书面许可，任一方不得将本协议的内容向他人泄露，发生下列情形时所披露的信息不适用本条的限制：（1）适用法律、任何监管机关要求披露或使用的；（2）向双方的会计师、法律顾问进行披露的；（3）非因本协议双方的原因，信息已进入公知范围的。否则，违约方需承担由此给守约方造成的直接损失，包括但不限于实际损失、违约金、实现债权的费用（包括但不限于诉讼费用、律师费用等）。
任何一方违反本协议及其附件致使其他方承担任何费用、责任或蒙受任何损失，违约方应就上述任何费用、责任或损失（包括但不限于因违约而支付或损失的税费、利息、仲裁费、律师费、保全费、保全担保费、执行费、鉴定费等）赔偿守约方。违约方向守约方支付的赔偿总额应当与因该违约行为产生的损失相同。
双方一致认为本协议属于平等主体之间的民事协议，如双方就本协议履行发生争议的，应先协商解决，协商不成的，任何一方均可提交无锡仲裁委员会按照该会仲裁规则进行仲裁。

本协议未尽事宜，甲乙双方另行商定，作为协议附件或签署补充协议，具有同等法律效力。

四、本次对外投资的目的、存在的风险及对公司的影响

（一）本次对外投资的目的

思微特本次在无锡投资建设特种器件晶圆制造封测基地项目，聚焦半导体高端领域，规划建设特色半导体封装线及高可靠半导体芯片流片线，旨在满足新能源、消费电子、工业控制、高可靠等领域对高品质半导体产品的需求，助力国内半导体产业自主可控发展，实现企业与产业的双向赋能。本次对外投资密切围绕思微特主营业务展开，项目一期主要建设自主可控的高可靠半导体器件封装线；二期根据一期项目的实际投资情况及未来市场发展情况，择机建设高可靠半导体芯片流片线，拓展公司在半导体器件自主化领域的布局，丰富公司产品业务矩阵，为公司收入增长打造新的增长曲线，提高综合竞争力。

此次合作也是思微特与无锡高新开发区深化协同、共赢发展的重要举措。将充分依托无锡高新开发区作为长三角核心经济与科技高地，坐拥优质产业生态、充沛人才资源与完善基础设施，获得政策支持与产业资源禀赋，深化与产业链上下游的协同创新，加速……
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