目前臭氧水清洗成为3nm以下先进制程的优选方案。目前国际东京电子（TEL）实验显示，臭氧水对EUV 光刻胶的去除率比硫酸﹣双氧水混合液(SPM）高20%，且无硫残留。台积电在3nm制程中采用臭氧水预处理，使晶圆缺陷密度降低15%。ASML的混合工艺：臭氧水+兆声波（Megasonic）协同清洗，减少物理损伤。请问公司是否了解上述行业发展？公司能否介绍一下臭氧水在3nm以下制程的优势？
国林科技：
尊敬的投资者，您好。臭氧水在3nm及以下先进制程中的优势主要体现在其高氧化性、清洁效率和环保特性上，能够满足半导体制造对精度、缺陷控制和材料兼容性的严苛要求。感谢您的关注。
尊敬的投资者，您好。臭氧水在3nm及以下先进制程中的优势主要体现在其高氧化性、清洁效率和环保特性上，能够满足半导体制造对精度、缺陷控制和材料兼容性的严苛要求。感谢您的关注。
（来自 深交所互动易）
答复时间 2025-08-15 15:54:40
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