公告日期:2026-05-21
证券代码:300964 证券简称:本川智能 公告编号:2026-036
江苏本川智能电路科技股份有限公司
关于控股子公司与西安交通大学签署《技术开发(委托)合同》
的自愿性信息披露公告
本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整,没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。
特别提示:
1、本次签署的技术开发合同确立了双方的合作计划,具体实施进度和最终成果尚存在不确定性,敬请广大投资者谨慎决策,注意投资风险。
2、本次技术开发合同的签署不会对公司本年度财务状况及经营业绩构成重大影响。
一、合同签署概况
为进一步把握行业发展契机,稳步提升整体经营竞争力,江苏本川智能电路科技股份有限公司(以下简称“公司”)控股子公司南京本川鹏芯科技有限公司(以下简称“本川鹏芯”)近日与西安交通大学经过平等协商,签署了《技术开发(委托)合同》,本川鹏芯委托西安交通大学研究开发功率半导体器件 CIPB高密度封装技术开发项目,并支付研究开发经费和报酬,西安交通大学接受委托并进行此项研究开发工作。
根据《深圳证券交易所创业板股票上市规则》等相关法律法规及《公司章程》的要求,上述交易无需提交公司董事会、股东会审议。上述交易事项不涉及关联交易,也不构成《上市公司重大资产重组管理办法》规定的重大资产重组。现将有关事项公告如下:
二、合作方基本情况
1、单位名称:西安交通大学
2、统一社会信用代码:12100000435230200R
3、法定代表人:张立群
4、机构类型:事业单位
5、地址:陕西省西安市咸宁西路 28 号
6、宗旨和业务范围:培养高等学历人才,促进科技文化发展。哲学类、理学类、管理学类、工学类、文学类、医学类、经济学类、法学类和教育学类学科高等专科、本科、研究生班、硕士研究生和博士研究生学历教育博士后培养相关科学研究、继续教育、专业培训与学术交流。
7、关联关系说明:公司与西安交通大学不存在关联关系。
三、《技术开发(委托)合同》的主要内容
委托方(甲方):南京本川鹏芯科技有限公司
受托方(乙方):西安交通大学
1、开发目的:根据最新工程实践与学术研究,对碳化硅(SiC)多芯片并联嵌入式 CIPB 功率半导体封装技术进行研究,实现以下目的:通过多物理场仿真,验证嵌入式 CIPB 封装在 SiC 多芯片并联工况下的可行性与极限边界;在设计阶段识别并消除因高 dv/dt、高功率密度带来的电、热、机械失效风险;为后续工艺定型、可靠性测试和量产降本提供数字化依据。
2、技术内容:
(1)电性能
①三维寄生参数提取
②多芯片并联瞬态均流仿真(含门极走线、Kelvin 源影响)
③EMI 频谱
(2)热性能
①稳态与瞬态热-流耦合(芯片→铜柱→PCB 内嵌铜层→散热器的完整路径)
②高温热点定位及散热增强方案评估
(3)机械/可靠性
①热-结构耦合应力:芯片焊层、铜柱-树脂界面、PCB 层间剥离
②功率循环、温度循环、随机振动、板级弯曲试验仿真
③绝缘失效:电-热协同场强、局部放电起始电压
3、研究开发经费和报酬总额为:人民币 50 万元(含税 3%)。由甲方以完
成项目的数量和进度比例分批支付乙方。具体支付方式和时间如下:甲乙双方签署本合同后 30 日内,乙方按甲方财务要求开具合法有效发票后,甲方向乙方支付本合同总金额的 50%,即人民币 25 万元作为项目启动资金;项目最终验收通过后,乙方按甲方财务要求开具合法有效发票后,甲方在 30 日内支付其余的人民币 25 万元。
4、双方确定,因履行本合同所产生的研究开发成果及其相关知识产权权利归属,按下列方式处理:
甲乙双方作为共同专利申请人,共同享有本项目研发成果的专利申请权。
专利权取得后的使用和有关利益分配方式如下:
(1)甲方享有免费、永久、不受限制的商业化使用权,并独立享有商业化过程中获得的收益。
(2)乙方仅可针对该专利进行学术研究使用(学术成果展示,引用),不得进行任何其他商业化的使用,包括但不限于产业化、授权许可第三人使用等。如乙方拟将该专利授权给第三方使用的,须经甲方书面同意,并以甲、乙双方名称共同对外授权,针对该类授权获得的收益,须经双方友好协商按比例分配。
技术秘密除本协议另有约定外,由双方共同享有,技术秘密的使用权利及利益分配按本条前款约定执行。
5、双方确定,甲方有权利用乙方按照本合同约定提供的研究开发成果,进行后续改进。由此产生的具有实质性或创造性技术进步特征……
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