董秘您好，据贵司《七彩三安》202506刊，湖南三安上半年成功研制出首款1200v沟槽mosfet，实测导通电阻低至1.7mΩ，更是研发出cell pitch＜3μm的平面mosfet，rsp＜1.9mΩ。湖南三安上半年研发成绩斐然，沟槽进度与平面代际已跻身国际一流水平，这对未来半年或者26年的业绩释放是否构成良性支撑?
三安光电：
湖南三安在产的碳化硅MOSFET产品目前以平面型为主，沟槽结构碳化硅MOSFET尚处于研发阶段。公司将持续推进电力电子业务发展，加快实现公司销售规模、盈利能力提升。
湖南三安在产的碳化硅MOSFET产品目前以平面型为主，沟槽结构碳化硅MOSFET尚处于研发阶段。公司将持续推进电力电子业务发展，加快实现公司销售规模、盈利能力提升。
（来自 上证e互动）
答复时间 2025-08-21 14:47:00
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