9月4日晚，半导体设备龙头企业中微公司（688012.SH）公告称，近日推出六款半导体设备新产品，这些设备覆盖等离子体刻蚀、原子层沉积及外延等关键工艺，包括两款刻蚀设备和四款薄膜沉积设备。
在刻蚀设备方面，中微公司新一代极高深宽比等离子体刻蚀“利器”—— CCP电容性高能等离子体刻蚀机Primo UD-RIE ，基于成熟的Primo HD-RIE设计架构并全面升级，配备六个单反应台反应腔，通过更低频率、更大功率的射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。
Primo Menova 12寸ICP单腔刻蚀设备专注于金属刻蚀领域， 擅长金属Al线、Al块刻蚀，广泛适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺的核心设备。
在薄膜沉积设备方面，中微公司此次发布的四款新品， 包括三款原子层沉积产品以及一款外延产品。其中推出的12英寸原子层沉积产品Preforma Uniflash金属栅系列， 涵盖 Preforma Uniflash® TiN、 Preforma Uniflash® TiAl 及 Preforma Uniflash®TaN 三大产品，能够满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。
外延设备方面，中微公司推出的双腔减压外延设备PRIMIO Epita® RP，作为目前市场上独有的双腔设计外延减压设备，其反应腔体积为全球最小， 且可灵活配置多至6个反应腔，在显著降低生产成本与化学品消耗的同时， 实现了高生产效率。
中微公司表示，随着半导体技术的迭代升级， 等离子体刻蚀、 原子层沉积及外延等技术的应用需求持续攀升。近日推出六款半导体设备新产品， 覆盖等离子体刻蚀、原子层沉积及外延等关键工艺，可进一步满足客户需求，拓展公司产品布局，为加速向高端设备平台化公司转型注入新动能，对公司未来半导体设备市场拓展和业绩成长性预计都将产生积极的影响。
半年报显示，中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65至5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，目前已有多款产品进入市场并获得大批量重复性订单。
今年上半年，中微公司总营业收入49.61亿元，同比增长43.88%；实现归母净利润7.06亿元，同比增长36.62%。
9月4日收盘，中微公司报收195.40元，跌7.83%。
