本报讯 （记者桂小笋）9月4日，在第十三届半导体设备与核心部件及材料展上，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布重磅推出六款半导体设备新产品。这些设备覆盖等离子体刻蚀（Etch）、原子层沉积（ALD）及外延（EPI）等关键工艺，不仅充分彰显了中微公司在技术领域的硬核实力，更进一步巩固了其在高端半导体设备市场的领先地位，为加速向高端设备平台化公司转型注入强劲新动能。

　　开幕式上，中微公司董事长兼总经理尹志尧博士在主旨报告环节正式宣布六款新设备的发布，并深入阐述了新产品的先进性能与独特优势。中微公司始终以市场与客户需求为导向，持续加大研发力度。目前，公司在研项目涵盖六大类、超二十款新设备，研发速度实现跨越式提升：过去一款新设备的开发周期通常为3到5年，如今仅需2年甚至更短时间就能推出极具市场竞争力的产品并顺利落地。在刻蚀技术方面，中微公司此次发布的两款新品分别在极高深宽比刻蚀及金属刻蚀领域为客户提供了领先和高效的解决方案。

　　此外，公司产品引入了多项创新技术，自主研发的动态边缘阻抗调节系统通过调节晶圆边缘等离子体壳层调节边缘深孔刻蚀的垂直性，大大提高了晶圆边缘的合格率。