10月29日晚，中微公司发布三季报。2025年前三季度，公司保持强劲发展势头，实现营业收入80.63亿元，同比增长46.40%；实现归属于上市公司股东净利润12.11亿元，同比增长32.66%。

　　中微公司核心业务表现突出，其中刻蚀设备收入为61.01亿元，同比增长约38.26%；LPCVD和ALD等薄膜设备收入呈现爆发式增长，达到4.03亿元，同比增长约1332.69%。各项主营业务的有力推进，为公司整体收入增长提供了坚实支撑。

　　作为以创新为核心驱动力的高端半导体设备企业，中微公司前三季度研发支出为25.23亿元，同比增长约63.44%，研发投入占营业收入比例约为31.29%，多款关键核心设备研发顺利推进，且研发周期大幅缩短，展现出公司对前沿技术布局与产品差异化战略的坚定执行。

　　据披露，中微公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升。在CCP方面，用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60比1超高深宽比介质刻蚀设备量产指标稳步提升，已成为国内标配设备，下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场；ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展，加工的精度和重复性已达到单原子水平。此外，其多款化学薄膜设备、硅和锗硅外延EPI设备性能达到国际领先水平，产线验证顺利并获客户高度认可。公司在泛半导体领域设备布局同步推进，包括新型化合物半导体外延设备、大平板显示设备等。

　　中微公司正从单一产品线向平台型公司迈进。在全球半导体设备市场持续扩容的背景下，据国际半导体产业协会预测，2025年全球半导体设备市场规模将达1210亿美元，并有望在2026年增长至1390亿美元。面对广阔的市场空间，中微公司加速产品布局，目前其产品已覆盖半导体高端设备的25%至30%，在研项目涵盖六大类、二十多款新设备，新产品开发周期从过去3至5年缩短为2年以内。

　　为应对全球半导体设备市场持续增长的需求，中微公司近期陆续启动了广州和成都研发及生产基地建设，全面深化其在半导体及泛半导体产业链的战略布局。

　　其中，公司位于广州的华南总部研发及生产基地总体规划占地约130亩，新近开工建设的一期项目占地约50亩，预计2026年底建成，2027年计划投产。中微公司成都研发及生产基地暨西南总部项目一期占地约50亩，建筑面积约7万平方米，将发展成为集研发、制造于一体的综合性基地，计划于2027年建成投产，持续提升公司在薄膜沉积设备等高端半导体设备领域的研发制造能力。

　　10月17日，在中微公司成都研发及生产基地暨西南总部项目启动仪式上，中微公司董事长兼总经理尹志尧表示，公司将不断加快新设备的研发速度，在今后的5至10年，通过有机生长和外延扩展，逐步覆盖集成电路关键领域50%至60%设备，力争尽早成为高端设备平台化公司，在规模和竞争力上成为国际一流的半导体设备公司。

　　展望未来，中微公司将继续深耕核心技术突破，通过“三维立体发展”和平台化布局，不断提升在全球半导体设备市场的竞争力，助力中国半导体产业实现高质量快速发展。