9月12日晚间，拓荆科技发布拟向控股子公司拓荆键科增资、定增募资46亿元等一系列公告。

　　在上述增资公告中，大基金三期计划通过旗下子基金以不超过4.5亿元参与增资，这也是该基金自2024年5月成立以来首次公开出手。

　　具体来看，据披露，为进一步推动控股子公司拓荆键科在三维集成设备领域的迅速发展，拓荆键科本次拟融资共计不超过10.4亿元（经各方协商确认拓荆键科本次融资的投前估值为25亿元）。

　　其中，拓荆科技拟以不超过4.5亿元认缴拓荆键科新增注册资本192.16万元。本次交易完成后，公司对拓荆键科的出资额占本次增资后拓荆键科注册资本的比例约为53.5719%。

　　国投集新（北京）股权投资基金（有限合伙）（简称“国投集新”）同样拟以不超过人民币4.5亿元，认缴拓荆键科新增注册资本人民币192.16万元。交易完成后，国投集新对拓荆键科的出资额占本次增资后拓荆键科注册资本的比例约为12.7137%。

　　企查查显示，国投集新成立于2024年12月，大基金三期出资比例为99.9%，出资额为710亿元；国投创业作为基金管理人出资占比0.0999%，对应出资7100万元。

　　据公开信息，拓荆键科或为大基金三期成立以来投资的首个项目。

　　增资公告还显示，华虹产投和海宁融创将分别拟以不超过3000万元、950万元认缴拓荆键科新增注册资本的12.81万元、4.06万元。其中，华虹产投成立于2024年9月，出资人包括国方基金、通富微电、华虹集团等。

　　拓荆键科有何独到之处？公告显示，该公司成立于2020年9月，主要聚焦应用于三维集成领域先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化应用。

　　拓荆键科现已先后推出了晶圆对晶圆混合键合设备、晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆键合前表面预处理设备、芯片对晶圆混合键合设备、键合套准精度量测产品、键合套准精度量测设备、永久键合后晶圆激光剥离设备等产品。目前公司产品已出货至先进存储、逻辑、图像传感器等客户，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。

　　按定义，三维集成是通过垂直堆叠芯片或功能层实现高密度封装的器件系统，本质属半导体集成电路，但采用新封装形式。发展旨在延续摩尔定律，应对传统二维集成的物理限制。该技术主要特点包括：提升封装效率和晶体管密度，缩小尺寸、缩短互连线以降低功耗等。

　　财务数据显示，拓荆键科2024年的营业收入、净利润分别为9729.50万元、-213.65万元。

　　当日，拓荆科技还公布了一份再融资方案。公司拟定增募资不超过46亿元，扣除发行费用后的募集资金净额拟投入高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目并补充流动资金。其中，高端半导体设备产业化基地建设项目系公司使用首次公开发行募集资金2.68亿元投资的项目，公司拟使用本次募集资金15亿元对其进行追加投资。

　　谈及该项目实施的必要性，公司阐述，近年来，受益于下游市场需求旺盛，凭借在半导体薄膜沉积设备领域强大的技术实力，公司业务规模呈现快速增长趋势，产能利用率处于较高水平。2022年、2023年和2024年，公司分别实现营业收入17.06亿元、27.05亿元、41.03亿元，年复合增长率达到55.08%。未来，随着市场需求的不断增长、芯片工艺的持续迭代与国产化率的不断提升，公司目前的产能预计无法满足未来客户的订单需求。

　　“项目的实施将大幅提升公司高端半导体设备产能，支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力，并通过智能化配套设施建设，提升生产效率，以充分满足下游市场及客户需求，扩大公司业务规模，从而进一步提升公司竞争能力和市场地位。”拓荆科技表示。

　　此外，公司前沿技术研发中心建设项目拟使用本次募集资金20亿元，计划开展多款先进薄膜沉积设备的研发，包括PECVD、ALD、沟槽填充CVD等工艺设备，并逐步突破其中的前沿核心技术等。