中证报中证网讯（王珞）近日，备受全球半导体产业瞩目的第31届半导体年度奖（Semiconductor of the Year 2025）颁奖典礼在日本东京举行。中国半导体材料领域的领军企业——天岳先进，凭借其在碳化硅衬底材料技术上取得的革命性突破，荣获由日本权威半导体媒体《电子器件产业新闻》颁发的“半导体电子材料”类金奖。这不仅是中国企业在该奖项设立31年以来的首次问鼎，更是该奖项历史上首次将最高荣誉授予碳化硅衬底材料技术。

　　半导体年度奖由日本最具公信力的半导体产业专业媒体《电子器件产业新闻》（创刊于1991年）主办，旨在从全球范围内表彰在设备、器件及材料三大领域的杰出技术创新。尤为重要的是，作为国际知名的半导体专业媒体，其奖项以严苛的评选标准和极高的行业权威性著称，该奖项深刻反映了半导体产业界对技术实力与行业地位的专业判断。在2025年的激烈角逐中，天岳先进荣膺电子材料类金奖，其技术实力与行业地位获得了业界最核心群体的高度认可。

　　天岳先进此次历史性获奖的核心驱动力，源于其长期聚焦于碳化硅衬底材料技术，并在此领域实现了持续的、里程碑式的突破。碳化硅作为第三代半导体的基石，其衬底材料的品质与制备技术直接决定了整个产业链的性能、成本和下游应用的普及度，是支撑新能源汽车、特高压输电、5G/6G通信、数据中心等战略新兴产业发展的根本所在。