公告日期：2026-03-28

山东天岳先进科技股份有限公司

2026 年度提质增效重回报行动方案

山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“公司”）持续践行“以投资者为本”的上市公司发展理念，维护公司全体股东利益，基于对公司未来发展前景的
信心，于 2025 年 3 月制定了《2025 年度提质增效重回报行动方案》，并按时发
布了半年度评估报告。在过去一年里，公司持续科技创新、聚焦经营主业、提升治理效能，并通过充分的信息披露、广泛的投资者交流以及切实的回报等一系列举措，在经营业绩与公司价值提升方面均取得优异表现，以实际行动践行了对投资者的承诺。

2026 年，公司将以“提质增效重回报”为核心战略导向，聚焦主营业务竞争力重塑，通过技术攻坚、运营提效、市场精耕三大维度协同发力，推动经营质量提升，增强投资者回报。具体内容如下：

一、聚焦经营主业，提升经营质量

公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。根据权威行业调研机构日本富士经济报告（2025年）测算，全球导电型碳化硅衬底材料市场天岳先进（SICC）稳居全球前三。公司及其产品在国际市场具有较高的知名度，已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，公司致力于为客户提供优质碳化硅衬底。

公司专注于碳化硅行业已超过 15 年，较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底的产业化。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化硅衬底的尺寸已从 2
英寸迭代升级至 8 英寸，并于 2024 年推出业内首款 12 英寸碳化硅衬底，于 2025
年完成了 12 英寸导电 N 型和导电 P 型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术
攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入 12 英寸新时代。目前公司已实现从 2 英寸到 12 英寸全尺寸产品矩阵产业化。凭借强大的研发及产业化能力，我们已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及质量检验，具备全尺寸碳化硅衬底产业化供应能力。
公司持续推进关键设备国产化替代，实现了从原料到成品的全过程自主可控。
目前行业处于 6 英寸导电型衬底仍为主流、8 英寸导电型衬底快速起量、12
英寸前瞻布局推进的发展阶段。公司在 8 英寸导电型衬底的质量与批量供应能力上处于全球领先位置，是全球少数能够批量出货 8 英寸及 12 英寸碳化硅衬底的
市场参与者。2026 年，公司将持续聚焦 8 英寸产品全球市场份额提升及 12 英寸
产品大规模量产能力提升，以技术领先与客户深度绑定双轮驱动，构建从产能、认证到交付的全维度竞争壁垒。同时，公司联合头部客户开发，抢占下一代技术制高点。持续推动产品结构优化、客户黏性增强及长期竞争壁垒加固，实现从规模扩张向技术溢价与生态主导的价值升级。

二、强化科技创新驱动，打造新质生产力引擎

行业调研机构弗若斯特沙利文报告指出，在电动汽车、电力设备以及能源领域驱动下，SiC 功率器件市场需求整体坚挺，2030 年 SiC 功率器件市场规模将超过 190 亿美元，占到整体功率器件市场约 22.6%。日本权威行业调研机构富士经
济报告指出，2035 年 SiC 功率器件市场规模有望超过 200 亿美元，届时 SiC 器
件市场规模将占到整体功率器件的 40%以上。碳化硅行业具有强劲的发展潜力。
公司是研发及生产碳化硅衬底的先驱及创新者。我们是全球少数能够批量出货 8 英寸碳化硅衬底的市场参与者之一。凭借优秀的内部研发能力，公司在大尺寸技术领先，是全球少数几家同时实现 8 英寸规模化量产和 12 英寸全系列技术突破的企业之一。在晶体生长技术持续领先，在低缺陷密度、高均匀性、高一致性等核心生长工艺方面处于行业先进水平。首创液相法制备无宏观缺陷 8 英寸碳化硅衬底，突破传统 PVT 法的技术局限。形成 6/8/12 英寸全尺寸产品矩阵，覆盖导电型、半绝缘型、P 型全系列产品。核心生产设备与热场设计实现自主研发制造，确保了供应链的安全与技术的自主演进。自主开发了整套无损表征技术，导入产线，提高了缺陷检测的准确性和时效性。建立了满足车规级严苛要求的质量与可靠性保障体系。根据 Yole 旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利方面位列全球前五。目前，公司在 8 英寸量产稳定性、12 英寸碳化硅衬底、液相法 P 型衬底、金刚石和氧化镓产品等关键技术领域取得重大突破。
公司已建立起完善的知识产权管理体系，是国家知识产权示范企业。根据
Yole 旗下……
[点击查看PDF原文]

提示：本网不保证其真实性和客观性，一切有关该股的有效信息，以交易所的公告为准，敬请投资者注意风险。