公告日期：2026-03-06

证券代码：920509 证券简称：同惠电子 公告编号：2026-004
常州同惠电子股份有限公司

投资者关系活动记录表

本公司及董事会全体成员保证公告内容的真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担个别及连带法律责任。
一、 投资者关系活动类别

□特定对象调研

□业绩说明会

□媒体采访

□现场参观

□新闻发布会

□分析师会议

□路演活动

√其他
二、 投资者关系活动情况

活动时间：2026 年 3 月 5 日

活动地点：常州同惠电子股份有限公司（以下简称“公司”）于 2026 年 3
月 5 日在上海金茂君悦大酒店参加开源证券 2026 年春季策略会投资者交流。

参会单位及人员：开源证券、浙商证券、东北证券、上海证券、南京证券、淳厚基金、嘉实基金、华泰保兴基金、梧桐智睿投资、寿宁投资、和昕资本、岱熹投资、太平洋资本、汇瑾资本、浦盈安盛。

上市公司接待人员：董事会秘书王恒斌先生、证券事务代表刘敏捷先生。三、 投资者关系活动主要内容

问题 1、请问公司在半导体领域的产品布局及相关应用场景

回复：尊敬的投资者，您好！公司目前研发和即将推出的新产品主要针对于功率半导体的研发设计、生产检测、可靠性验证的相关检测需求。具体型号如下：
1、TH500 系列第三代功率半导体器件高压脉冲电流电压（PIV）分析系统（已小批量生产），支持 1500V/50A 测试能力，可精准量化器件寄生效应，主要用于高压 SiC/GaN 宽禁带器件高速开关过程中核心参数的精准捕捉；

2、TH510 系列半导体器件 C-V 特性分析仪（已小批量生产），频率覆盖
1kHz-2MHz，漏极电压最高可达±3000V，主要应用于功率器件研发设计、产线来料筛查和出厂质检等可靠性验证的流程；

3、TH520 系列功率器件参数分析仪（即将上市），最高支持 3500V/1800A 测
试能力，测量分辨率达 1fA/100μV，最小脉宽 10μs，测试带宽 10MHz。可覆盖功率 MOSFET、IGBT、SiC/GaN 等宽禁带器件的静态参数测试；

4、TH530 系列半导体器件雪崩能量测试仪（已小批量生产），支持最高 2500V雪崩电压、200A 峰值电流测试能力。可精准量化 MOSFET、IGBT 等器件的雪崩能量耐受能力、雪崩失效特性，应用于功率器件失效分析、产线良率筛选和器件的耐久性验证；

5、TH540 系列半导体器件热阻测试仪（正在研发），VDS 达 200V、IDS 为 50A，
主要用于测量晶体管、二极管、MOSFET、IGBT 等功率器件的热阻特性，同时可实现器件接触状态检查，保障器件散热性能评估准确性；

6、TH550 系列半导体晶圆 KGD 测试系统（正在研发），可实现静态与动态参
数双维度测试，且能适配常温、高温等多环境场景，满足晶圆级 KGD 的测试需求；
7、TH560 系列半导体晶圆老化测试系统（即将上市），支持 4 寸、6 寸、8
寸晶圆，电压达 2000V，主要用于评估半导体晶圆在长期工作环境下的稳定性，提前识别潜在失效风险，为下游芯片制造提供品质保障；

8、TH570 系列功率器件动态特性分析仪/双脉冲测试仪（即将上市），具备1500V、250A 的能力，脉宽 100μs，带宽 500MHz，主要重点针对分立 IGBT、SiC/GaN等宽禁带半导体器件，提供高精度动态功率测试支持。

TH500 系列 PIV 系统、TH510 系列半导体器件 C-V 特性分析仪、TH530 系列
半导体器件雪崩能量测试仪已通过客户验证并形成少量订单；TH520 系列功率器
件参数分析仪、TH560 系列半导体晶圆老化测试系统和 TH570 系列功率器件动态特性分析仪尚处于客户验证阶段，尚未形成订单。后续的市场导入及销售情况，取决于研发进度、市场拓展及行业需求等多重因素的影响，敬请投资者注意相关风险。

谢谢关注！

问题 2、公司目前的境外业务的情况、未来的目标及布局情况如何

回复：尊敬的投资者，您好！公司长期聚焦于国内仪器行业的市场开发，当前的境外业务收入占比仍处于较低水平，而全球电子测量仪器市场空间广阔，海外市场对高端测试测量仪器的需求旺盛，所以海外市场具有很大的潜力以待开发。公司核心目标是稳步提升海外业务营……
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