4月7日，三大指数集体上涨，芯片板块表现强势。上证科创板芯片设计主题指数(950162.SH)上涨2.02%，该指数成分股中，盛科通信上涨超10%，寒武纪上涨超9%，联芸科技上涨超7%。

　　相关ETF方面，Wind金融终端显示，截至当日收盘，科创芯片设计ETF天弘(589070)成交额超6800万元。资金流向方面，截至4月3日，该ETF近20日获资金累计净流入累计超9000万元，居同标的第一。

　　科创芯片设计ETF天弘（589070）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，该指数覆盖芯片设计、制造、封测、设备等产业链各环节，反映半导体产业整体发展趋势，数字芯片设计和模拟芯片设计为前两大权重行业，合计占比超94%。

　　消息面上，据财联社，三星电子在今一季度将DRAM合约价上涨了100%之后，二季度的DRAM合约价将再度环比上涨30%。三星电子已确认于3月底与主要客户完成价格谈判，并签署了供应合同。30%的DRAM合约价涨幅囊括了AI芯片所需的HBM、PC和智能手机所需的通用DRAM。

　　中国银河证券表示，短期来看，算法优化对HBM需求的实际冲击被高估——TurboQuant主要影响推理阶段显存占用，而当前AI投资重心仍在训练端。长期而言，TurboQuant降低AI应用门槛，有望刺激推理侧算力部署，带动AI服务器总量与企业级SSD需求扩容。三星等厂商HBM销售额激增、订单量居高的产业验证，表明高端存储结构性紧缺格局未改，扩张节奏仍在持续。