科创芯片设计ETF鹏华(589170)涨超4.4%,存储龙头官宣技术突破
来源:界面新闻
消息面上,SK海力士宣布其首款基于321层QLC NAND闪存的固态硬盘PQC21本月起向戴尔出货,该技术突破或对芯片设计产业链产生积极影响。
券商研究方面,国信证券指出半导体行业近期呈现结构性分化,3月SW半导体指数下跌14.87%,其中数字芯片设计(-15.71%)和集成电路封测(-20.48%)表现较弱,而模拟芯片设计虽估值较高(PE 135倍),但部分企业如硅力-KY营收同比增长,显示细分领域韧性。同期台股数据显示存储芯片企业华邦电、南亚科等营收同比改善,反映存储周期修复迹象。综合来看,行业波动主要受子板块景气分化及估值调整影响,算力芯片需求旺盛与模拟芯片周期低位形成对冲,需关注细分领域基本面差异对指数成分股的传导效应。
截至2026年4月8日 10:43,上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨4.60%,成分股臻镭科技上涨14.20%,思瑞浦上涨8.05%,盛科通信上涨7.98%,睿创微纳,聚辰股份等个股跟涨。科创芯片设计ETF鹏华(589170)上涨4.47%, 冲击3连涨。最新价报0.91元。
数据显示,科创芯片设计(950162.CSI)前十大权重股依次为澜起科技、海光信息、芯原股份、佰维存储、寒武纪、睿创微纳、东芯股份、晶晨股份、龙芯中科、思特威-W,上述成分股合计权重占比为59.85%。
科创芯片设计ETF鹏华紧密跟踪科创芯片设计指数,上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本,以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。
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