费城半导体指数突破12000点创新高!科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数盘中跌超1%,换手率超12%交投活跃
来源:每日经济新闻
盘面上,两市高开低走,芯片设计概念下跌。相关ETF方面,科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数盘中跌1.25%,成交额达5372.13万元;换手率达12.54%。成分股中,盛科通信-U跌超5%,国芯科技、东芯股份、澜起科技等多股跟跌。
科创芯片设计ETF天弘(589070)紧密跟踪科创芯片设计指数,该指数近一年涨幅达115.21%。科创芯片设计ETF天弘(589070)精准卡位云端训练芯片、边缘推理芯片、国产GPU三大高增长细分赛道,完美契合AI算力爆发与国产替代的行业趋势,跟踪标的指数涵盖五十只科创芯片设计领域上市公司,如瑞芯微、龙芯中科等芯片已被明确适配用于个人部署OpenClaw,产品单日最大涨跌幅达20%。随着上游推理需求的持续高速增长和国产替代持续提升,板块配置价值凸显。
消息面上,据行业机构监测,2026年二季度DRAM与NAND合约价格环比暴涨58%至75%,美光科技等巨头财报业绩飙升,美股费城半导体指数突破12000点创新高。
大同证券认为,芯片设计行业正深度受益于AI算力需求爆发,景气度加速向业绩兑现。大模型对高带宽、低功耗芯片提出更高要求,推动Chiplet、存算一体等创新设计落地。AI终端规模化将打开全新增量市场。
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