财联社5月13日讯 近期存储芯片板块的猛烈上涨，使得一只成立不到6周的ETF成为华尔街有史以来最成功的基金发行事件。

　　根据统计，自4月2日成立以来，Roundhill的存储ETF（DRAM）资管规模在1个多月后就突破70亿美元，压过2024年贝莱德比特币ETF上市时的同期记录。

　　（截至5月12日，DRAM基金的资管规模已经达到73.3亿美元，来源：基金官网）

　　作为背景，Roundhill存储ETF聚焦各类存储芯片的龙头公司。在数据中心需求激增的背景下，为看好存储芯片长期短缺的投资者提供了难得的投资工具。

　　美国“ETF趋势”网站的首席投资官Dave Nadig感慨称：“人们现在是毫不犹豫地冲刺进场，这股动能简直疯狂。”

　　Nadig还强调，这只基金仅用了10个交易日就吸引了首批10亿美元资金流入。仅在上周五一天，在全球存储芯片股大涨之际，基金单日净流入资金就达到10亿美元。

　　（4月上市以来，DRAM价格接近翻倍，来源：TradingView）

　　追踪散户交易行为的Vanda Research测算显示，散户投资者本周一买入了5500万美元的该ETF，创下该基金上市以来个人投资者单日最大净流入纪录，甚至超过同期流入英伟达等个股的资金，反映出投资者希望以更广泛的方式押注整个行业。

　　Vanda全球宏观策略师Viraj Patel表示：“DRAM正在迅速成为当前半导体狂热行情的代表性标的。我找不到还有哪只ETF，能在这么短时间内吸引如此巨量的散户买盘。”

　　韩国敞口引爆投资者热情

　　Roundhill存储ETF的一鸣惊人，很大程度上来源于它为全球投资者提供了入手“纯存储”资产和买入两只韩国存储巨头（三星电子和SK海力士）的机会。

　　持仓文件显示，截至5月12日，SK海力士（持仓占比27.3%）、美光科技（27.03%）和三星电子（20.13%）位列前三大持仓，其他持股还包括闪迪、铠侠等美国和亚洲存储行业公司。

　　Roundhill的ETF策略师Thomas DiFazio表示，在大多数半导体领域的ETF基准中，只有一家大型存储芯片制造商：在美国上市的美光。

　　因此在许多已经上市的半导体ETF中，并不包含三星、海力士这两家屡创新高的存储行业龙头公司。DRAM基金上市前，许多希望买入这两家公司的外国投资者，只能借道贝莱德的韩国ETF。数据显示，iShares韩国ETF的资产规模在过去一年里从近30亿美元增长至近230亿美元。

　　盈透证券的市场策略师Steve Sosnick表示：“很多投资者把它视为一种替代性工具，用来间接押注那些很有吸引力、但平时又不太容易买到的韩国股票。”

　　对于DRAM来说，下一个里程碑挑战将是突破100亿美元关口。作为对比，贝莱德比特币基金在2024年1月上市后，用了7周时间实现了这一成就。