中信建投:预计本轮存储涨价时间、幅度将远超预期
来源:大河财立方
【大河财立方消息】5月20日,中信建投电子首席刘双锋等发布研报称,英伟达Rubin进入量产,下一代Feynman进一步推升算力硬件需求,服务器架构从训练主导转向训推兼顾,从GPU主导转向GPU+LPU架构,并推出存储机柜、CPU机柜、LPX机柜等,实现系统方案的进一步优化。谷歌/AWS/Meta等厂商的ASIC亦在加速迭代。算力芯片需求持续强劲增长,先进制程、先进存储、先进封装、PCB、光通信等仍是硬件需求增量、技术创新最显著的环节,台积电、三星、英特尔等开发并扩产2nm先进制程,HBM演进到HBM4并衍生出定制芯片,CoPoS、CoWoP等先进封装形式涌现,CPU、传统存储的供需也逐步紧俏。
我们预计2026-2027年HBM、DRAM、NAND甚至小容量存储均会出现不同程度的供给紧缺,本轮存储涨价周期将不同于以往,涨价时间和涨价幅度将远超预期。供需缺口将催化价格大幅度上涨,根据Trendforce预测, DRAM 26Q2 的合约价在26Q1上涨93-96%的基础上继续上涨58-63%,NAND 26Q2的合约价在26Q1上涨85-90%的基础上继续上涨70-75%。
2026年,DRAM市场规模将增长至4570亿美元,同比+121%,预计NAND市场规模将增长至1420亿美元,同比+103%, NAND、DRAM的单GB价格均有大幅度提升。从市场结构看,服务器在存储市场的占比有望进一步提升,成为存储器的第一大应用。
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