本川智能(300964)5月21日晚公告，公司控股子公司南京本川鹏芯科技有限公司（以下简称“本川鹏芯”）近日与西安交通大学签署了《技术开发（委托）合同》，本川鹏芯委托西安交通大学研究开发功率半导体器件CIPB高密度封装技术，并支付研究开发经费和报酬，西安交通大学接受委托并进行此项研究开发工作。

　　据介绍，本次委托开发目的是根据最新工程实践与学术研究，对碳化硅（SiC）多芯片并联嵌入式CIPB功率半导体封装技术进行研究。通过多物理场仿真，验证嵌入式CIPB封装在SiC多芯片并联工况下的可行性与极限边界；在设计阶段识别并消除因高dv/dt、高功率密度带来的电、热、机械失效风险；为后续工艺定型、可靠性测试和量产降本提供数字化依据。

　　本川智能表示，基于对未来长远发展战略布局，聚焦碳化硅功率半导体高端封装领域前沿技术，着力布局CIPB（芯片内嵌功率基板）为核心的先进封装技术平台，全面布局高端电力电子器件赛道，公司正式启动碳化硅多芯片并联嵌入式CIPB封装技术的专项研发与产业化落地工作。

　　本次签订技术开发合同，旨在深度依托西安交通大学在电力电子领域深厚的科研积淀、实验平台与技术研发优势，结合公司自身多年来在PCB领域积累了丰富的精细化生产管理、质量控制经验和成熟的管理人才体系等方面的产业实操能力，高效推动前沿科研技术成果快速实现工程化迭代与产业化落地，双方协同完成适配CIPB技术路线的新型碳化硅封装结构及配套工艺体系的搭建，形成可量产的功率模块解决方案。

　　同时，借助高校优质科研平台与师资力量，助力公司专业技术人才梯队建设与核心研发团队能力提升，持续夯实公司相关产品技术壁垒与核心竞争优势，加速完善产业布局。

　　本川智能同时提示风险，项目研制开发周期约为1年，本合同在履行过程中可能受宏观经济、政策变化、研发不达预期等不可预见的制约因素，影响最终执行情况；如本次技术开发项目工作能顺利完成，后期科研转化成果能否最终实现或产业化实现的进程也会受行业、政策、市场需求变化等多种因素影响，预期效益存在较大不确定性。

　　日前，本川智能在接待机构调研时表示，公司正在进行对CIPB项目的厂房改造和定制化产线布局，目前已有6家客户完成多版打样，3家客户进入小批量试产阶段。项目目前处于小批量试产阶段，大规模放量预计在未来1-2年。公司已针对不同材料热膨胀系数差异导致的翘曲问题，完成10种以上材料验证，解决了高压绝缘、激光开槽、微孔填镀等核心技术难题；同时与上游芯片厂商、模块厂深度合作，打通了从材料到成品的全链路供应能力，为后续规模化量产做好了准备。

　　嵌入式集成是PCB行业主流发展趋势，公司已完成埋铜、埋阻工艺积累，稳步向埋芯方向升级，持续布局埋硅、埋电容等前沿嵌入式方案，持续夯实技术壁垒。