美国佐治亚理工学院科学家研制出一款新型NAND闪存。它既能高效处理人工智能（AI）任务，又能承受太空中的极端辐射，其抗辐射能力达到传统NAND闪存的30倍。相关研究论文已发表于最新一期《纳米快报》杂志。

　　NAND闪存是一种非易失性存储器，凭借高密度、低成本的优势，广泛应用于U盘、固态硬盘、移动设备和数据中心等场景。作为当前最尖端的存储技术之一，它的容量可达太比特级别，足以承载海量数据。然而，严酷的太空辐射极易破坏存储在其中的电荷，导致数据受损。针对这一难题，团队开发出这款全新的NAND闪存。

　　新型NAND闪存利用了与硅工艺兼容的氧化铪材料的铁电性，即材料在一定温度范围内会自发产生极化，且极化方向可在外部电场作用下翻转。这一特性使铁电材料在信息存储、传感、人工智能及新一代低功耗芯片等领域颇具应用潜力。

　　测试结果显示，这款铁电闪存可承受高达100万拉德（辐射吸收剂量）的辐射，相当于1亿次X射线照射，辐射耐受性是传统存储器的30倍。

　　这一耐辐射水平满足了各类航天器的辐射耐受需求。近地轨道卫星需要5千至3万拉德的耐受能力，地球静止轨道需要10万至30万拉德，而深空任务最高可达100万拉德。

　　这款铁电NAND闪存并不依赖能与辐射相互作用的电荷来存储数据，而是利用材料内部的极化状态来承载信息，而极化对辐射效应具有很强的耐受性。

　　团队强调，这款新型铁电存储器不仅耐辐射，即便身处极为恶劣的辐射环境，依然能保持可靠运行，可广泛应用于从轨道卫星到未来探测木星卫星等在内的各种深空任务，这些任务需要能处理大量AI任务的电子设备。