5月27日，国产存储芯片龙头企业长鑫科技集团股份有限公司（简称“长鑫科技”）科创板IPO今日成功过会。上交所上市审核委员会2026年第27次审议会议审议并通过长鑫科技首次公开发行股票并在科创板上市的申请。
自2025年12月30日正式受理以来，长鑫存储IPO从提交申请到过会仅仅用时5个多月。根据审核流程，长鑫科技交易所审核通过后将进入证监会注册环节。
业内普遍乐观预计，公司有望在三四季度完成注册并发行上市，最快可能在7至8月期间正式挂牌交易。
招股书显示，长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，目前核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模已位居中国第一、全球第四。
在存储景气周期的影响之下，长鑫科技在2025年实现盈利并预计2026年上半年业绩大增。2025年公司归母净利润为18.75亿元，同比扭亏为盈。今年一季度，长鑫科技实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；归母净利润为247.62亿元，去年同期为净亏损15.59亿元。长鑫科技预计，今年上半年营业收入为1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润为500亿元至570亿元，扣非归母净利润为520亿元至580亿元。
分析师表示，存储前端产能投资金额庞大，在供不应求的行情下，海外原厂将优先供应北美云端厂商需求，压缩对部分客户的供应，也使国产化产能扩张紧迫性提升。本次上市，长鑫科技拟募资295亿元，主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。
作为国内DRAM赛道绝对龙头，长鑫科技从零起步迅速成长为全球第四大存储厂商，展现了惊人的“中国速度”。这一上市进程若如期实现，无疑将为全球半导体资本市场注入强劲动力，助力国内存储产业在AI浪潮中占据更大话语权。
