5月27日，作为国产存储“双子星”之一，长鑫科技科创板IPO通过上交所上市委会议，公司IPO拟募集资金295亿元，创下科创板IPO拟募资额之最。日前证券时报记者实探长鑫科技合肥厂区，施工车辆出入频繁，配套的设备、材料等半导体产业链企业在厂区周边高度聚集。
在存储超级周期演化下，内存产品内部利润率出现倒挂，通用型DDR产品利润率反超高端HBM类产品，存储巨头美光科技最新重启上一代规格DDR4内存生产。随着存储被视为AI算力的关键基础设施，外资机构对国际存储巨头改用成长股估值，行业或迎来估值逻辑重构。
产业链高度聚集
长鑫科技上市进程掀起的“热浪”似乎也传导到公司总部。步入5月，合肥已经进入“烘烤”模式，从合肥新桥机场到长鑫科技大约11公里车程，厂区东门周边井然有序，很少有车辆出入。正门偏侧远处的行人通道上，整整齐齐地停放着两排电动摩托车，中间留出大约两倍盲道宽的距离；另一侧大门旁边有个接待室，通过玻璃可以看到里面等候了不少人。
而长鑫科技西侧新淮大道上更为热闹：厂区外的辅道上一辆接一辆施工车辆和各式货车，不时穿梭出入厂区，远处能看到标识着广钢气体的储气罐。厂区对面是低矮的深色厂房区，有一处挂牌显示为盛美半导体。另外，结合地图信息，厂区周边还分布有合肥沛顿存储科技有限公司、合肥北方华创微电子装备有限公司、华海清科等半导体产业链企业。
有业内人士向记者表示，长鑫科技周边的半导体产业链聚集程度比较高，晶圆厂内通常都有设备厂商人员驻场，以便快速响应生产需求。
盛美半导体此前披露，经过多年的努力，该公司已与SK海力士、华虹集团、长江存储、中芯国际、长鑫科技等国内外半导体行业龙头企业形成了较为稳定的合作关系；华海清科也在2024年披露过产品进入中芯国际、长江存储、华虹集团、长鑫科技等行业知名芯片制造企业。另外，北方华创介绍，公司批量订单主要来自存储芯片、逻辑芯片和先进封装领域的头部客户。
长鑫科技招股书显示，合肥沛顿作为关联方，系长鑫科技封测服务供应商之一，并最新启动扩产。
深科技高管日前在业绩说明会上透露，目前公司合肥封测处于满产状态，正有序推进扩产规划。5月26日晚间公告，为满足高端存储芯片封装测试市场增长需求，全资子公司深圳沛顿及控股子公司合肥沛顿拟实施高端存储芯片封测产能扩充项目，项目计划总投资14.7亿元。
另外，华海清科、拓荆科技、通富微电、江波龙等A股多家半导体产业链企业启动再融资，涉及相关设备、高端存储封测、存储主控芯片研发等环节。
存储板块添估值锚
在长鑫科技推进上市进程之际，国际存储巨头市值一路飙升，行业估值逻辑有望重构。
5月26日，美光科技股价单日暴涨逾19%，跻身“万亿美元市值俱乐部”。另外，今年以来，SK海力士股价累计上涨2.45倍，三星电子累计上涨1.56倍，闪迪股价涨幅更是超过5倍。
市场观点认为，本次美光科技股价大涨的直接催化剂来自瑞银大幅上调美光科技目标价（从535美元大幅上调至1625美元），成为华尔街给予该股的最高目标价，并且认为美光科技已转型为“AI基础设施成长股”，不再适用传统周期股低倍数折价。最新美光科技PE达到41.9倍。
对于该份研报详情，瑞银方面向记者表示，不对个股作出评价。
CIC灼识董事总经理余怡然向记者表示，美光科技被赋予成长股估值，其核心驱动力在于市场认为AI浪潮将结构性、永久性地提升存储器的市场需求与行业盈利水平，而不仅是周期性反弹。以HBM和高端DRAM为代表的存储芯片，已成为AI算力的关键基础设施，其需求增长具备长期性和高确定性。这使得市场愿意给予其更高的估值溢价，淡化其传统的强周期属性。
“国内存储龙头同样受益于AI需求和国产替代的双重成长逻辑，且处于市场份额快速增长期，其成长性甚至可能高于处于成熟期的国际巨头。”余怡然分析，国内存储厂商面对的是巨大的本土替代增量市场，有望获得更高的动态PE溢价。
也有观点认为，随着国产存储原厂上市，现有A股存储器标的可能会迎来估值调整。
对于长鑫科技上市带来的现有存储板块估值影响，余怡然提出，长鑫科技的市值和成长故事将为整个板块提供重要的估值锚。当前存储行业正处于由AI需求驱动的涨价周期，龙头公司上市恰逢行业高景气，极大吸引资本市场关注，可能推动A股相关上市公司迎来“戴维斯双击”。
利润率倒挂巨头谨慎扩产
本次长鑫科技IPO拟公开发行不超过106.22亿股，计划募集资金高达295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。
而国际存储巨头也在谨慎启动扩产步伐。除了三星电子、SK海力士上调年度资本开支并推进高端存储产能扩产，美光科技也加码HBM，甚至重启了上一代规格的DDR4生产。
“美光科技重启DDR4主要因价格上涨后其毛利率已大幅改善，旨在抓住当前市场红利。”余怡然向记者表示，这属于纠偏式的产能调配，并没有大规模新增产能，更不是全行业的转向。由于海外三大厂的核心策略仍是将产能优先分配给利润更高的HBM和DDR5，DDR4的增量供给非常有限，短期内对缓解整体DDR4紧缺和抑制价格上涨作用不大。
据CFM闪存市场机构最新预测，2026年一季度全球DRAM/NAND Flash市场规模达1371.4亿美元，环比增长81.6%，同比增长245%，创历史季度新高。另外，受供需错配影响，存储紧缺涨价格局仍具备较强延续性。
