继今年2月率先实现HBM4量产商用后，三星再度领跑下一代AI存储赛道。今日，三星电子宣布，已开始向主要全球客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品。在完成初步样品交付和优化后，三星计划根据客户的进度安排开始批量生产HBM4E。
此外，三星已规划扩展产品阵容，后续将推出8层32GB型和16层64GB型，以满足不同客户的多样化算力需求。
HBM（高带宽存储器）是AI加速芯片的核心配套部件，其带宽与容量直接决定AI训练与推理的效率。当前，HBM市场由三星、SK海力士和美光主导，此前SK海力士在HBM3及HBM3E阶段占据显著先发优势。
三星自2015年切入HBM赛道，产品已历经十代迭代，2026年2月，三星量产HBM4，是全球首家完成HBM4量产的企业。
据三星介绍，作为HBM4的迭代升级产品，12层HBM4E采用第六代10纳米(nm)级DRAM工艺(1c)和三星晶圆代工的4nm逻辑基片，在性能、容量、能效与散热方面均有大幅提升，专为大模型、生成式AI及高性能计算场景打造，与HBM4相比——
性能：其HBM4E可提供稳定的14 Gbps引脚传输速度，性能可扩展至16Gbps，以满足日益增长的数据处理需求；与HBM4相比，性能提升超过20%，同时每个堆栈的内存带宽高达3.6TB/s，有助于最大限度地提高大模型和下一代人工智能系统的计算性能。
容量：HBM4E提供48GB的容量，比上一代产品增加了30%以上，并计划根据客户需求扩展产品线，包括32GB（8层）和64GB（16层）配置。
能效和散热：低功耗设计与封装优化使能效提升16%，热阻改善超14%，散热效率显著增强，可降低AI数据中心高负载能耗。
HBM市场上，三星、SK海力士、美光正你追我赶，呈现三足鼎立格局。
作为当前HBM市场的份额领导者，SK海力士的HBM4于2025年9月量产；HBM4E计划2026年下半年送样、2027年量产，其HBM4E将采用基于1c nm制程的DRAM裸片，基础裸片则由台积电采用3nm工艺生产；美光的HBM4产能爬坡进展顺利，计划于2027年量产HBM4E，消息称其HBM4E将采用10纳米级第六代1γ工艺，这是美光首次在量产工艺中引入EUV光刻设备，基础裸片将委托台积电制造。
TrendForce分析指出，上述三大供应商正逐步将产业重心由良率竞争转向定价权与下世代规格主导，虽传统DRAM利润率短期反超HBM，供货商仍维持均衡产品组合，并看好HBM长期合约价走高，横向对比来看，当前除HBM以外的各类DDR及消费级存储，历经前期多轮涨价后价格已整体处于相对高位，而HBM的涨价红利尚未充分释放。
海通国际证券称，伴随2027年全球AI服务器出货量持续高增、HBM3e/HBM4迭代渗透提速，叠加先进封装与良率瓶颈仍持续约束供给释放，看好HBM后续涨价预期。
