上证报中国证券网讯（记者钱佳滢）据“三安光电”微信公众号6月2日消息，公司近日联合西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心、杭州镓仁半导体有限公司，取得氧化镓同质外延技术的关键突破，为氧化镓在智能电网、新能源汽车等高压场景的落地应用提供了技术支撑，将推动第四代半导体技术商业化进程。

　　据介绍，在国际主流的氧化镓晶面上，外延生长极易出现缺陷，导致器件良率和实际耐压远低于理论预期，制约了氧化镓的产业化进程。

　　联合团队采用金属有机化学气相沉积方法，优化初始成核条件，成功抑制孪晶缺陷，已在2英寸衬底上获得高质量的同质外延层。测试结果表明：整片晶圆表面均方根粗糙度低于0.5nm，晶体质量与衬底相当，电子迁移率达到100cm²/（V·s）。

　　基于上述外延片，联合团队优先发展横向功率器件。目前，联合团队已具备2英寸氧化镓外延及器件制备能力，并拥有向6英寸及更大尺寸扩展的工艺基础。