随着存储工艺朝着更高阶演进，其内部材料也有望发生更迭。
据媒体报道，SK海力士已完成375层3D NAND 闪存的生产验证工作，眼下正推进产线落地。本次并未新建厂房，而是对清州M15工厂现有产线进行改造升级——这座工厂目前主要生产176层、238层、321层等中低层数NAND产品，改造后将全面切换为375层产品生产线，该产品计划在今年年底前正式量产。
据悉，这款NAND 最初规划为400层架构，受超高层数堆叠的量产工艺限制，最终调整为375层。按照SK海力士的技术路线，未来还将持续迭代，依次推出480层、604层产品。
此次迭代最大的技术亮点，在于使用钼材料替代传统钨材料制作字线。字线（Word Line） 是连接存储单元控制栅极的水平控制线，主要用于选择和操作特定行的存储单元。
随着3D NAND堆叠层数愈多，传统钨材质短板凸显：线路细化后钨的电阻会显著上升，拖慢信号传输速率。同时钨在制程中还需要额外铺设阻挡辅助层，逐层叠加后会挤占空间、影响芯片集成密度。
比较而言，在同等微缩尺寸下，钼的电阻更低，能够有效加快数据读写速度。且钼无需额外增设阻挡层，可直接完成填充，进一步提升芯片存储密度。不过，钼前驱体在常温下为固态，生产时必须借助专用设备进行高温加热，同时把控物料的供给量与输送速率，对设备和制程管控要求严苛。
SK海力士在考察了泛林集团（Lam Research）和东京电子（TEL）的设备后，最终选择了后者的设备。泛林集团的设备采用单片晶圆处理方法，逐片处理晶圆；东京电子的炉式设备可一次性完成约100片晶圆的沉积作业，在设备采购成本、场地占用以及钼物料消耗上更具性价比。
供应链方面，液化空气集团、英特格和默克公司将向SK海力士供应钼材料。在韩国企业中，SK Specialty也被提及为潜在供应商，双方正在商讨SK Specialty借用液化空气集团的供应系统来供应钼材料的方案。SK海力士也积极推动两家公司之间的合作。
从行业层面来看，三星电子已率先落地钼材料工艺。该公司自2024年4月起量产286层第九代3D NAND，就已将钼应用在金属布线环节；其规划中的第十代400层以上3D NAND，也定于今年下半年推向市场，钼材料的应用范围还将持续扩大。
行业测算数据显示，三星去年钼材料采购量约4吨，今年预计增至10吨，后续需求还将逐年走高，预计2030年将达到80吨。SK海力士从明年开始大规模导入钼工艺，初期年采购量也将达到4吨左右。
