6月10日，江苏长晶科技股份有限公司（以下简称“长晶科技”）主板IPO获深交所受理。
招股书显示：长晶科技于2018年12月注册于南京江北新区。公司是一家国内Fabless（无晶圆厂）与IDM（垂直整合制造）模式并行的综合型半导体企业，主营产品涵盖二极管、三极管、MOSFET、IGBT等分立器件、电源管理IC及分立器件晶圆等多种电子元器件。长晶科技具备上万种规格型号产品的量产能力，是国内产品门类最齐全、系列最丰富的分立器件与电源管理IC企业之一。
长晶科技以半导体产品研发、设计与销售起步，凭借内生发展与外延并购双轮驱动，逐步实现从Fabless模式到部分产品IDM模式的演变。其中，公司在发展过程中收购整合了新顺微电子、海德半导体等产业资源，新设长晶浦联提高封测自产能力，建立具备CNAS、CMA资质的检测子公司，逐步形成了覆盖芯片设计、晶圆制造和封装测试的全产业链业务能力，部分产品已具备从产品定义设计、晶圆制造到封装测试的一体化生产经营能力。
营收基本盘为二三极管、MOSFET是第二增长曲线
2023年至2025年，长晶科技业绩持续增长，分别实现营收22.60亿元、26.78亿元和29.85亿元，分别实现归母净利润1.53亿元、2.19亿元和3.36亿元。
业务模式方面：长晶科技采用Fabless与IDM并行的模式开展业务。公告显示：目前公司IDM模式主要应用于二极管、三极管等相对成熟的产品，可以充分发挥IDM模式供应链稳定、降低成本的优势；而针对MOSFET、IGBT、电源管理IC等仍在快速成长期的产品而言，公司主要通过Fabless模式或封测环节自产的方式进行生产，可以发挥Fabless模式资本投入小、灵活性高、市场适应性强的优势。
具体业务板块：二三极管是公司业务的基本盘，报告期内占公司主营业务收入比例分别为47.20%、47.07%和46.63%。公司在二三极管领域具备IDM全流程生产能力，报告期内实现收入的二三极管产品超过8,000款，产品矩阵丰富，覆盖场景广泛，目前已处于市场领先地位。
MOSFET是长晶科技重点打造的第二增长曲线，已在市场中占据一定份额，处于高速发展阶段。根据芯谋研究数据，2024年，国内MOSFET市场规模为57.52亿美元，是分立器件市场占比最高的品类。2022年至2025年，公司MOSFET产品收入由3.25亿元增长至8.13亿元，复合增长率达到35.82%，远超行业增速。
IGBT是公司重点研发突破的产品，具备未来快速发展的潜力。公司研发并推出的大功率IGBT单管及模块，部分产品性能可对标国际一线品牌最新代次产品，技术实力位居国内品牌前列。公司IGBT产品凭借优异的性能，已在汽车电子、光伏储能、充电桩等领域取得突破，并被纳入江苏省重点推广应用的新技术新产品目录。
长晶科技表示，公司顺应全球半导体行业演进规律，对标英飞凌、安森美、安世半导体等国际主流分立器件、功率半导体龙头企业，确立了“平台化”、“一体化”发展战略，业务模式、产品布局、下游应用等方面契合产业发展趋势，具有行业代表性。
长晶科技股东阵容豪华，包括中芯聚源、深创投、国家集成电路产业投资基金、小米长江产业基金、OPPO、传音控股等知名产业资本及国家级投资基金。2025年6月，公司完成亿元级C轮融资，引入江苏省节能环保战新产业基金、蓝天投资；2026年3月，广汽资本对公司完成战略投资。
招股书显示，截至本招股说明书签署日，发行人实际控制人杨国江通过南京江澄、上海江昊、傅传企管和晶智众达合计间接持有公司 15.04%的股份，合计控制公司31.14%的股份。
募资14.9亿元，投向四个项目
本次IPO，长晶科技拟募资14.9亿元，计划投资于“年产100亿颗工控及车规级功率器件封装测试产业化项目”、“MOSFET、IGBT及第三代半导体技术研发项目”、“电源管理IC研发项目”和补充流动资金。
根据招股说明书，上述募集资金均围绕公司主营业务进行布局，进一步巩固公司在高端分立器件、电源管理IC产品领域的技术应用能力，深化封装测试环节的IDM纵向一体化布局，并增强持续发展能力。
