功率半导体代工龙头芯联集成（688469.SH）大手笔扩产。

　　6月11日晚间，芯联集成发布公告称，拟与绍兴市杭绍临空经济一体化发展示范区绍兴片区管理委员会合作，合资经营芯联先进集成电路制造（绍兴）有限公司（简称“芯联先进”），建设一条月产能5万片的12英寸数模混合芯片生产线。该项目作为公司的四期项目，计划总投资约200亿元，其中公司出资30.12亿元，持股25.1%。

　　四期项目的启动，标志着芯联集成在巩固新能源汽车和工业控制两大核心优势市场的基础上，正系统性延伸至AI服务器电源和光互联两大高增长赛道。

　　200亿大项目

　　据悉，该项目计划总投资约200亿元，其中资本金120亿元（芯联集成拟出资30.12亿元，杭绍临空牵头组建的地方产业基金以及其他联合投资主体拟出资30亿元，其他市场化资金拟出资59.88亿元），银行贷款80亿元。

（图源：公司公告）

　　该投资还设置了远期交易安排，芯联集成要求且经杭绍临空同意，在项目公司资本金全部到位后7年内或自项目公司达到盈亏平衡起1年内，芯联集成受让杭绍临空及其关联方届时所持有项目公司的全部股权，以及杭绍临空届时持有的产业基金100%份额。

　　据悉，四期项目从数模混合出发，延伸至AI电源、硅光及锗硅等技术平台。具体来看，其聚焦五大工艺平台，包括55nm至28nm车规级MCU及AI端侧DSP芯片平台，覆盖智能汽车、工业自动化、AIoT三大应用领域，其中AI端侧DSP布局是公司向AI应用延伸的重要一步，为边缘智能提供算力支撑；

　　90nm数模混合芯片平台，聚焦国内稀缺的高性能、高功率、高可靠性BCD技术方向，面向新能源汽车、工业控制、高端消费电子三大核心领域；55nm AI服务器高频电源管理芯片制造平台，该平台面向AI服务器电源系统，为CPU/GPU提供高功率密度供电方案。目前公司正进一步扩大高端电源管理芯片产能，以应对全球AI算力爆发带来的市场需求。

　　此外，还有55nm硅光芯片平台，面向数据中心光互连、AI集群通信、高速光模块三大应用。21世纪经济报道记者了解到，在一期8英寸硅光芯片大规模扩产和三期基地12英寸90nm硅光技术的基础上，四期会继续建设和扩大55nm硅光芯片产能，深入布局光互联技术。

　　面向光引擎的55nm SiGe跨阻放大器和激光驱动芯片平台则覆盖高速光模块接收端和发射端的核心电芯片，该平台与55nm硅光平台形成“硅光+配套电芯片”协同效应，可为客户提供从光接收到光发射的完整光引擎代工方案。

　　不难发现，四期项目的启动，意味着公司在巩固主业根基的同时，正深入布局AI服务器电源与光互联两个高增长方向。

　　产能跃升

　　在半导体上行周期，芯联集成在一期、二期、三期项目达产的基础上，未来随着四期项目的投产，公司整体晶圆制造产能将超过40万片/月（折合8英寸）。尤其是公司在夯实主业的同时，正深度布局和参与全球AI算力基础设施建设。

　　芯联集成表示，本次投资事项顺利实施，有利于抓住当前AI算力服务器、新能源汽车、机器人、光互联等新兴产业的发展契机，推动公司主营业务持续成长。

　　为了推动四期项目尽快实现产业化落地，芯联集成同步推动技术授权。

　　同期发布的公告显示，芯联集成及其子公司拟向芯联先进转让并同步授权实施与之配套的专利及非专利型专有技术，转让及授权对价预计为12.11亿元。

　　公司表示，在四期项目正式启动前，先行投入了研发资源并形成了相应的研发成果，以加快关键技术验证与客户产品导入进程，为芯联先进独立运营提供完整的专利权利依据支撑，保障项目平稳过渡与持续创新。