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发表于 2026-06-15 10:50:11 股吧网页版
我国自研三维多层片上电容,赋能高端芯片发展,科创芯片ETF博时(588990)强势涨超4%
来源:界面新闻

  截至2026年6月15日 10:31,上证科创板芯片指数(000685)强势上涨4.55%,成分股华虹宏力上涨9.91%,盛科通信上涨9.58%,南芯科技上涨8.49%,思特威,华海清科等个股跟涨。科创芯片ETF博时(588990)上涨4.10%,最新价报3.79元。拉长时间看,截至2026年6月12日,科创芯片ETF博时近1周累计上涨1.22%。

  流动性方面,科创芯片ETF博时盘中换手3.88%,成交2643.21万元。拉长时间看,截至6月12日,科创芯片ETF博时近1年日均成交7071.80万元。

  消息面上,我国成功研制出三维多层片上电容,可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片。从湖北江城实验室了解到,该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破,成功研制出三维多层片上电容,电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片,支撑高算力、低功耗芯片研发。目前,相关技术正在开展工艺流片及小批量试产,将在先进封装领域实现规模化应用。

  平安证券指出,SK海力士计划到2034年将晶圆产能提高三倍,以满足AI存储芯片激增需求,董事长崔泰元对AI基础设施持续需求及大规模投资充满信心。同时,SK海力士罕见审查一级设备供应商3%-4%涨价申请,反映存储行业已进入由HBM驱动的结构性超级周期。映射至上游,设备价格上浮信号明确,国内晶圆厂扩产潜力可观,将带动设备、零部件及材料需求持续向好,国产替代与出海机遇同步强化。

  资金流入方面,科创芯片ETF博时最新资金净流入749.29万元。拉长时间看,近5个交易日内有3日资金净流入,合计“吸金”1445.19万元,日均净流入达289.04万元。

  科创芯片ETF博时紧密跟踪上证科创板芯片指数,上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本,以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

  数据显示,截至2026年5月29日,上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为寒武纪、澜起科技、中芯国际、海光信息、中微公司、佰维存储、拓荆科技、源杰科技、华虹宏力、芯原股份,前十大权重股合计占比64.1%。

  科创芯片ETF博时(588990),场外联接(博时上证科创板芯片ETF发起式联接A:022725;博时上证科创板芯片ETF发起式联接C:022726)。

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