6月9日，主营精细化工材料的宿迁联盛（SH603065，股价13.40元，总市值56.14亿元）收到上交所下发的《关于对宿迁联盛科技股份有限公司有关对外投资事项的问询函》。
前一日，公司宣布拟与自然人朱蓉辉及汇智光芯人工智能科技（苏州）有限公司（以下简称汇智光芯）共同出资设立合资公司，进军化合物半导体磷化铟衬底领域。
磷化铟是光通信产业链的核心衬底材料，随着AI算力需求爆发，高速光模块对磷化铟基光芯片的需求持续增长。公司股价于公告前异动，连续3个交易日收盘价涨幅偏离值累计超过20%。
对此，交易所询问是否存在内幕消息泄露，公司对外投资的合资公司是否具备开展磷化铟衬底研发和生产销售业务所需的资金、能力和条件等。
6月13日，宿迁联盛回复问询函。意向合作方汇智光芯截至2026年3月31日的净资产为-2.09万元，处于资不抵债状态，且目前合作各方均无磷化铟相关专利，核心技术人员也尚未签署正式聘用协议。经公司自查，本次对外投资事项不存在内幕信息提前泄露的情形。
6月15日，宿迁联盛股价下跌1.47%，收报13.40元/股。
意向合作方净资产为负且无相关专利
根据公告，汇智光芯成立于2024年10月，截至2026年3月31日，汇智光芯在2025年度和2026年第一季度的营业收入均为0元，2026年第一季度的净利润为-21287.85元。
而另一家由朱蓉辉控制的关联公司汇智光芯半导体科技（苏州）有限公司成立于2026年4月28日，其简要财务数据显示，截至2026年3月31日总资产为0元，净资产为-3400元，2026年第一季度净利润为-3400元。
据公司介绍，合资方的核心关键人朱蓉辉具有化合物半导体晶体生长和晶圆加工领域超过20年的职业经历。公开资料显示，其2019年~2021年在云南鑫耀半导体材料有限公司（以下简称鑫耀半导体）任经理，从事生产管理工作，其中包含磷化铟产品的技术、设备研发和生产。资料显示，鑫耀半导体是上市公司云南锗业控股子公司。
据朱蓉辉介绍，其参与研发了磷化铟全新全自动表面检查设备、全自动位错检查设备，并通过努力实现3英寸、4英寸磷化铟晶体生长良率达到25%以上。但公司在公告中明确指出，目前朱蓉辉及汇智光芯均无磷化铟相关专利。
公告显示，后续各股东拟分两期进行项目建设。一期固定投资1亿元，预计10个月内完成厂房、装修、生产环境等工作落实，预期达到年生产12万片4~6英寸磷化铟衬底；二期预计追加投资2亿元，将产能扩充至40万片/年。
由于投资尚处于意向阶段，该笔投资仍存多项风险。其中，相关人事与技术尽调工作仍未完成。公司表示，现阶段，项目公司与拟引入的朱蓉辉和其他核心团队成员尚未签署正式聘用协议，其与原雇主的竞业限制、保密义务及知识产权归属情况均未清理或梳理。
公司称，截至回复公告披露日，朱蓉辉及汇智光芯的磷化铟单晶生长技术能力系基于其单方陈述，公司尚未完成独立第三方尽调。
公司还提到，朱蓉辉及其核心团队成员自身的任职经历、掌握的相关经验技术可能与其历史任职单位、国家科研主导单位等的知识产权存在承继、重合或冲突的情形，存在被第三方主张知识产权侵权或权属争议的风险。
化合物半导体衬底领域属于高壁垒行业，宿迁联盛此前并无相关储备。公司认为，合资公司拟从零起步进入磷化铟衬底领域。从零起步的后来者可能长期处于竞争劣势，甚至在实现技术突破之前出现被市场竞争淘汰的风险。
公司称未发现信息提前泄露情况
《每日经济新闻》记者注意到，除了此次投资仍存较多风险外，是否存在内幕消息泄露及股东减持计划也受到监管关注。
5月7日，宿迁联盛披露，宿迁联发科技合伙企业（有限合伙）和宿迁联拓科技合伙企业（有限合伙）两家合伙企业拟在6月1日至8月31日通过集中竞价方式减持公司股份，合计减持比例不超过0.57%。
据了解，上述合伙企业所持股份均为IPO前取得，且其股东包括公司董事长、副董事长、董事、高管等多名核心管理层成员。同时，2026年6月3日至6月5日公司收盘价格涨幅偏离值累计超过20%并触及异常波动，公司于6月6日披露异动公告但未提及前述投资事项。
公司表示，本次合作近期接洽始于5月22日，双方在6月6日晚间达成初步意向并签署协议，时间较为紧迫，于6月8日召开董事会审议相关议案，6月9日对外公告。公司称，股价异动期间，公司尚未就本次对外投资事项进行合作方案的讨论，因此不存在应披露而未披露的重大事项。
2026年5月8日本次减持计划公告时，公司尚无对外投资计划；公司上述董事、高级管理人员截至目前并未实际进行减持，公司不存在利用信息披露配合股东减持的情形。
在内幕信息管理方面，公司称磋商阶段已严格缩小知情人范围、落实保密要求，并完成内幕信息知情人登记。经自查，2025年12月9日至2026年6月9日期间，控股股东、实控人、董事、高管、交易对手方及相关直系亲属均无公司股票交易行为，未发现信息提前泄露情况。
