18日早间，SK海力士的股价在韩国交易所一度上涨超5%，创盘中纪录新高。截至发稿，其涨幅收窄至3.45%。

　　6月18日，记者从SK海力士官网获悉，公司已向主要客户供应12层HBM4E（高带宽内存第四代增强版）样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。

　　SK海力士表示：“凭借长期以来积累的HBM先导开发能力和量产经验，公司成功向客户提供12层HBM4E样品。我们将与主要客户紧密协作，致力于确保按时量产。”

　　此举标志着这家全球领先的存储器制造商在AI存储赛道上迈出了关键一步，也意味着HBM4E的客户认证与量产竞赛已全面打响。

　　SK海力士此次送样距其竞争对手三星电子宣布交付首批HBM4E样品仅相隔约三周。5月29日，据韩联社报道，继今年2月全球首批量产HBM4（第六代）之后，三星电子已开始向全球交付第七代高带宽内存（HBM）产品HBM4E的首批样品，该产品是AI行业的关键零部件。

　　另一巨头美光科技则计划于明年启动HBM4E标准产品量产，其HBM4E将采用首次引入EUV光刻设备的1γ工艺。

　　据业内分析，鉴于HBM4E计划于明年正式量产，今年下半年必须完成客户的测试验证与优化流程。SK海力士此次按计划送样，意味着三家厂商的HBM4E产品已陆续进入客户认证窗口。

　　SK海力士官方介绍，此次推出的12层HBM4E样品在性能和能效方面相较上一代HBM4均实现了跨越式升级。产品引脚速率最高可达16Gbps，单堆栈带宽高达4.0TB/s。与HBM4相比，HBM4E实现了约38%的带宽提升和33%的单Die容量提升。容量方面，12层堆叠结构实现了48GB的存储容量。

　　能效是此次升级的另一大亮点。SK海力士表示，HBM4E的能效较上一代提升了20%以上，显著增强了AI训练和推理所必需的数据处理能力。此外，产品通过新一代接口和设计优化，有效降低了数据传输延迟，即使在高带宽环境下也能保持稳定运行。

　　在散热管理方面，HBM4E采用了先进的MR-MUF（批量回流模制底部填充）工艺，在实现12层堆叠的同时进一步提高了结构稳定性。与HBM4相比，其热阻降低了约17%，确保在高性能计算环境中的稳定运行。

　　HBM（高带宽存储器）作为AI加速芯片的核心配套部件，其带宽与容量直接决定了AI训练与推理的效率。随着大模型训练和生成式AI应用的爆发式增长，HBM正从“可选配件”变为决定AI算力上限的“战略资源”。

　　据SEMI中国数据，2026年HBM市场规模预计增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成。然而，即便三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增产线倾斜至HBM，产能缺口仍高达50%至60%。高盛等多家投行机构预计，HBM供不应求的结构性短缺至少将持续到2028年。

　　TrendForce预估，HBM投片量占整体DRAM投片比重将由2025年的18%提升至2027年约30%。在如此强劲的需求驱动下，谁能在下一代HBM产品上率先完成客户验证并实现量产，谁就能在这场千亿美元级别的存储盛宴中占据先机。

　　SK海力士开发总管安炫社长表示：“我们将把迄今为止所积累的业界领先技术竞争力和量产能力延续至HBM4E产品，夯实持续引领AI创新的基础。公司将通过与合作伙伴的紧密协作，以前瞻性布局实现市场所需价值，进一步巩固作为‘全方位面向AI的存储器创造者’的技术领导地位。”