①SK海力士公司于周四宣布，已向主要客户交付了新一代AI用DRAM——HBM4E的12层堆叠样品。此举有助于巩固该公司在快速发展的AI芯片市场中的龙头地位；③HBM4E在性能和功耗效率方面均有显著提升，每引脚最大数据处理速度达16Gbps，能效较前代型号提升超过20%。

　　本周四，SK海力士公司宣布，已向主要客户交付了新一代AI用DRAM——HBM4E的12层堆叠样品。此举有助于巩固该公司在快速发展的AI芯片市场中的龙头地位。

　　SK海力士在声明表示：

　　“得益于公司在HBM领域的先进研发和生产技术，我们能够按时交付12层HBM4E的样品…我们将与合作伙伴紧密协作，确保实现及时的大规模量产。”

　　消息公布后，截至目前， SK海力士 (000660.KR) 股价周四在韩股市场上涨超7%；港股方面， 南方两倍做多海力士 (07709.HK) 大涨15%。年初至今，SK海力士股价已经累计上涨300%，南方两倍做多海力士年内涨超900%。

　　目前，SK海力士已经是英伟达主要的HBM供应商，而三星和美光也正在展开激烈竞争。

　　此次揭开面纱的HBM4E，最大特点是相较上一代HBM4（第六代），在运算性能和功耗效率两方面都实现了大幅提升。

　　SK海力士公司声称，这款12层HBM4E每引脚（pin）最大数据处理速度达16Gbps，能效较前代型号提升了超过20%。这些改进将有效增强AI训练和推理的数据处理能力。

　　这款全新的HBM4E通过最新的接口和设计优化，降低了数据传输延迟，同时在高带宽环境下保持稳定运行。这使客户能够提高人工智能数据中心和大规模计算系统中数据处理的效率。

　　SK海力士介绍称，他们采用先进的MR-MUF1技术制造HBM4E产品，在12层堆叠结构中实现48GB容量，并确保了结构稳定性。这种1MR-MUF（大体积回流模压填充）技术是一种用于半导体堆叠的工艺，通过在芯片之间注入液态保护材料以保护电路。

　　此外，与上一代HBM4相比，新款HBM4E还提升了17%的耐热性能，从而在高性能计算环境中保障存储芯片的稳定运行。

　　SK海力士总裁兼首席开发官 Ahn Hyun表示：

　　“凭借领先市场的技术实力和制造经验，SK海力士已奠定基础，进一步巩固其在人工智能领域的领导地位。通过与合作伙伴的紧密协作，我们将为市场提供所需价值，同时强化作为全栈AI内存解决方案提供商的技术领导力。”