据SK海力士，其18日宣布公司已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能的下一代超高性能DRAM。此次新产品较上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

　　券商研报显示，从训练到推理，AI工作负载对存储系统的需求正在重塑存储金字塔的层级边界。HBM从专业应用走向AI标配，DRAM容量面临长上下文与KV Cache的双重挤压，高性能固态硬盘则从温存储角色升级为推理链与向量检索的核心载体。这一变化正在驱动存储产业的技术迭代。

　　当下，英伟达HBM供应由三星电子、SK海力士和美光三家垄断。我国唯一HBM厂商长鑫科技正急速追赶先进制程水平，全球HBM产业格局或将重塑。