当地时间6月16日，英伟达战略投资的高意（COHR）美国得克萨斯州谢尔曼厂区6英寸磷化铟晶圆扩建项目正式奠基开工。作为英伟达AI基础设施全球扩建计划的核心落地工程，本次扩产依托全球首条规模化量产6英寸磷化铟产线，完工后产能将提升4倍。

　　早在今年3月，英伟达就曾斥资20亿美元（约合人民币136亿元）入股高意并签订长期产能采购协议，标志着全球AI算力竞争已经从GPU芯片延伸至光通信底层化合物半导体材料，磷化铟正式成为AI产业军备竞赛的核心战略资源。

　　百亿级资本落地，全球顶尖磷化铟产线启动4倍扩容

　　据英伟达披露的信息，本次开工仪式由英伟达创始人兼CEO黄仁勋与高意首席执行官吉姆·安德森共同出席奠基，美国得州地方政府、商务部相关代表到场见证，项目获得美国《芯片与科学法案》5000万美元专项补贴，叠加地方经济扶持资金，形成政企协同的扩产支撑体系。

　　按照规划，扩建完成后厂区生产面积将实现翻倍，磷化铟晶圆综合产能提升至原有4倍，同时新增千余个高端制造就业岗位，大幅提升美国本土光芯片上游材料供给能力。

　　本次扩产是英伟达3月重磅战略合作的实质性落地。今年一季度，英伟达宣布向高意完成20亿美元战略投资，资金将全部用于磷化铟产线扩建、光芯片技术研发与上下游产能配套，同步签署数十年长期采购框架协议，锁定未来海量磷化铟衬底、高速光器件产能。

　　公开资料显示，高意是全球光电子行业龙头企业，业务布局覆盖数据中心高速光互联、工业激光器、光电半导体核心材料三大板块，其中面向AI算力集群的数据中心光互联业务是公司核心增长引擎。依托完整垂直产业链，高意实现磷化铟衬底、外延片、激光芯片、高速光模块一体化生产，也是英伟达CPO共封装光学方案的独家核心供应商，二者合作周期已长达二十年，伴随AI算力浪潮持续深化绑定关系。

　　磷化铟：AI算力时代不可替代的光电核心基材

　　本次项目持续加码磷化铟赛道，核心逻辑源于该材料在AI高速互联中无法替代的产业价值。磷化铟属于Ⅲ-Ⅴ族复合半导体，具备优异的直接带隙特性，电光转换效率极高，可快速完成电信号与光信号双向转化，是制造800G、1.6T、3.2T高速光模块、相干激光器、光电探测器的唯一核心衬底，也是CPO技术规模化落地的底层基础材料。

　　行业数据显示，当前全球超八成磷化铟需求由AI数据中心拉动。黄仁勋在奠基仪式上公开表示，AI作为通用终极技术，大规模集群训练场景下，光通信相比传统铜线具备显著功耗与带宽优势，磷化铟光芯片是下一代AI数据中心的刚需基础设施。

　　从需求增量来看，算力升级持续放大磷化铟消耗量。机构预测2026至2030年全球磷化铟整体需求将增长近20倍，但全球合规有效产能严重不足，供需缺口长期维持70%以上。同时，6英寸大尺寸磷化铟晶圆相比传统3/4英寸产品，单片可产出芯片数量大幅提升，器件综合生产成本降低60%，是产业降本增效、满足海量算力需求的最优路线，也是高意本次扩产聚焦6英寸产线的核心原因。

　　巨头锁产重塑全球供应链光电子材料赛道格局生变

　　英伟达以20亿美元重金锁定上游产能，是全球科技巨头针对AI上游稀缺材料的供应链防御布局，将深刻改写全球磷化铟产业竞争格局。

　　一方面，海外高端6英寸磷化铟产能加速集中绑定头部算力厂商。目前全球高端6英寸磷化铟衬底产能高度集中于高意、日本住友等少数海外企业，合计垄断全球90%以上高端量产产能。另一方面，美国依托《芯片与科学法案》补贴扶持本土化合物半导体制造，推动磷化铟核心产能回流美国。本次高意扩建项目获得数千万美元官方补贴，体现美国强化光电半导体本土制造、完善AI全产业链自主可控的政策导向。

　　对于全球产业链而言，本次扩产将持续放大6英寸磷化铟供需失衡压力。海外头部产能被英伟达长期锁量，全球其他光模块、云厂商获取高端衬底的难度持续上升，倒逼全球各地加速磷化铟国产替代进程。国内多家新材料企业已实现4英寸磷化铟衬底稳定量产，但6英寸大尺寸产品仍处于中试、小批量阶段，量产良率、工艺稳定性与海外龙头存在明显差距，长晶、外延核心设备仍依赖进口，高端磷化铟自主化具备广阔成长空间。

　　校对：赵燕