6月19日，英诺赛科宣布，根据慕尼黑地区法院于17日作出的两项裁决，英诺赛科当前销售的氮化镓（“GaN”）功率器件产品不落入英飞凌主张的德国专利保护范围，因而在德国不受限制。上述裁决与美国国际贸易委员会（“ITC”）上月作出的全体一致裁决高度一致。ITC已认定英诺赛科现有产品未侵犯英飞凌主张的一项涉及封装设计的美国专利（美国第9,899,481号专利）。慕尼黑地区法院此次审理的正是该专利的德国同族专利(一项发明专利和一项实用新型)。与ITC的结论一致，慕尼黑法院仅认定小部分历史产品——即某些额定电压为650V至700V的封装晶体管产品——构成侵权，而这些产品此前已退出市场。因此，相关禁令不涉及现有产品，对英诺赛科在德国的经营及其客户对相关产品的使用不产生任何实质性影响。