6月22日，存储芯片龙头兆易创新H股大涨，股价一举突破1000港元大关。截至发稿，兆易创新H股涨近11%，报1040港元/股。A股方面，兆易创新午后一度涨超7%，续创新历史新高。

　　兆易创新H股此番股价突破千元关口，距其登陆港交所不过五个多月。2026年1月13日，兆易创新以162港元/股的发行价在港交所主板挂牌上市，上市首日即高开45%，盘中一度涨超50%，最终收涨37.53%，报222.8港元/股。

　　从基本面看，兆易创新的业绩增长为其股价提供了坚实支撑。公司2026年第一季度营收达41.88亿元，同比增长119%，归母净利润14.61亿元，同比增长522%。公司在存储芯片设计领域深耕多年，产品覆盖存储器、微控制器、传感器和模拟芯片等多个品类。公司在港股上市时即明确表示，预计2026年存储行业将进一步上行，目标未来五年取得国内利基DRAM市场至少三分之一的份额。

　　在业务层面，兆易创新与国内DRAM龙头长鑫存储深度绑定。根据兆易创新此前发布的公告，公司预计2026年向长鑫集团采购DRAM相关代工产品全年交易金额达57.11亿元。这一数字较2025年双方实际发生的11.82亿元交易额增长超过4.83倍，其中2026年上半年预计交易额度15.47亿元已超过2025年全年实际发生金额。双方合作模式为长鑫存储负责生产制造，兆易创新主攻产品研发与市场流通。

　　同时，兆易创新持有长鑫科技1.8%股份，兆易创新创始人朱一明同时担任长鑫科技集团股份有限公司董事长。这种深度绑定的股权与业务关系，使兆易创新在DRAM产能保障方面获得独特优势。

　　6月12日，证监会同意长鑫科技首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。这家中国第一、全球第四的存储巨头即将登陆科创板。

　　从行业格局看，根据Omdia 2025年第四季度统计数据，SK海力士、三星电子、美光科技合计垄断超91%的全球DRAM市场，长鑫科技以7.67%的份额稳居全球第四、国内第一。有分析机构预测，依托亮眼的盈利基本面，叠加存储芯片高景气赛道带来的估值红利，长鑫科技总市值有望冲击2万亿元至3万亿元区间。

　　此外，6月21日，招商证券发布的行业跟踪报告表示，当前存储景气周期持续，二季度DRAM合约价格预计环比增幅仍有58%至63%，NAND合约价格将环比增长70%至75%。由于海外原厂产能倾斜挤压利基NAND与NOR等产品产能，预计下半年两项产品价格将随供需紧张继续调升，其中高容量NOR Flash预计仍有60%至65%以上的调涨空间，SLC NAND有70%至75%的上涨空间。