【上涨因素分析】

　　美光今日凌晨发布财报，大超市场预期。FY26Q3实现营收 414.6亿美元，YoY +346%；Non-GAAP EPS为25.11美元。毛利率高达84.9%，再创历史新高。此外，公司指引FY26Q4指引营收 500±10亿美元，Non-GAAP EPS为31±1美元，毛利率约 86%。公司已签署16份长期协议，HBM持续供不应求。

　　【存储涨价，国产存储产业链深度受益】

　　根据TrendForce集邦咨询，今年第二季度DRAM合约价预计环比上涨58%至63%，NAND闪存合约价环比上涨70%至75%。此外，根据相关指引，存储芯片价格在Q3有望保持30%左右环比涨幅，这一点从美光毛利率指引提升看也可见一斑。

　　在全球存储涨价的大背景下，国内存储芯片和存储模组厂商有望同步受益，业绩端加速放量已在报表端有明显表现，#有兴趣的投资者可关注信创ETF（159537），截至2026年6月24日，存储模组+存储芯片+内存接口芯片含量高达37.23%，存储含量高于普通的半导体类指数（如科创芯片设计等），有兴趣的投资者可以持续关注。

　　【存储扩产，半导体设备迎成长黄金期】

　　半导体设备近期成长叙事良多，包括半导体设备涨价、设备出海、存储扩产、两存上市、去日化等多重引擎共振。美光FY26Q3资本开支约70亿美元，并指引FY26Q4预计提升至约100亿美元，可见存储扩产正在加速。而材料端也因存储高度景气、成熟制程稼动率高企等因素而快速成长。半导体设备和材料均深度受益于存储涨价和存储扩产，#有兴趣的投资者可关注半导体设备ETF（159516）。

　　不过还是需要注意波动风险，短期涨幅较大叠加存储龙头上市前后可能存在兑现需求，波动可能加大。还是需要采取分批、逢低布局等方式较为安全。