6月25日，受美光科技财报大超预期影响，存储芯片概念股强势领涨，带动相关指数走强，同花顺iFinD数据显示，国证信息技术创新主题指数上涨6%，信创ETF易方达（159540）获资金净流入约2300万元。

　　业内分析认为，本次财报有三点边际变化尤为重要：一是DRAM与NAND的ASP环比均大幅提升，本轮并非单一HBM紧缺，而是传统DRAM、NAND与高价值存储共同进入供需偏紧；二是美光已签署16份战略客户协议，覆盖约20%DRAM和三分之一NAND出货量，采用take-or-pay等强约束结构，长协正改变存储周期属性；三是公司判断DRAM和NAND紧张格局将延续至2027年之后，资本开支上修至约270亿美元，供给释放仍偏慢，存储大周期持续性进一步确认。

　　根据Wind存储器指数口径计算，国证信息技术创新主题指数中存储芯片/模组“含量”达35%，居全市场第一，AI芯片、服务器、半导体设备等其余国产算力权重约50%。信创ETF易方达（159540，联接基金A/C：020403/020404）紧密跟踪该指数，最新规模居同标的产品第一，助力投资者捕捉存储超级周期投资机遇。