6月30日，A股市场三大指数集体飘红，更高“存储+算力”含量科创芯片设计ETF汇添富（589290）开盘直线拉升。截至13:45，科创芯片设计ETF汇添富（589290）大涨近5%，喜提两连阳，盘中成交额超4000万元，创6月26日上市以来新高。
【科创芯片设计ETF汇添富标的指数前十大成分股】
截至13:29，科创芯片设计ETF汇添富（589290）标的指数前十大成分股几乎全线飘红，盛科通信、寒武纪涨超8%，睿创微纳、东芯股份涨超6%，晶晨股份、海光信息涨超5%、
普冉股份、澜起科技涨超4%，芯原股份涨超2%。
消息面，三星电子、SK集团公布中长期投资计划，总计约4755万亿韩元。三星正式宣布投资计划，总额达2,655万亿韩元（约合11.68万亿元人民币），将在韩国龙仁市和平泽市的半导体产业集群投资2030万亿韩元。SK集团2100万亿韩元的投资规划则包括SK电讯约1000万亿韩元的AI数据中心投资计划和SK海力士约1100万亿韩元的AI存储器生产带建设计划。韩国有关部门预计将在西南部建设四座芯片厂，投资约800万亿韩元(约3.5万亿人民币)，其中三星电子和SK海力士各新建两座工厂。预计五年内DRAM生产能力翻倍。
DeepSeek V4正式版计划于7月中旬正式上线，并将同步调整API定价策略，引入峰谷定价机制，以更合理地配置资源、提升服务稳定性。据悉，V4 Pro和V4 Flash模型在平时价格保持不变，但高峰时段API价格将调整为平时的2倍。日前，DeepSeek或完成首轮融资，募集资金超74亿美元（约合人民币500亿元），公司估值突破500亿美元（约合人民币3300亿元）。
【算力：政策、产业、应用三重共振，国内AI算力迎来新机遇】
国产替代逻辑持续强化：今年3月，高层进一步明确要发展新一代通信技术、云计算、区块链等产业，提升高端芯片、光电子器件、基础软件和工业软件等产业水平。有关部门工作报告则明确深化拓展“人工智能+”，促进新一代智能终端和智能体加快推广，推动重点行业领域人工智能商业化、规模化应用，并提出实施超大规模智算集群、算电协同等新基建工程，加强全国一体化算力监测调度。
东吴证券认为当前政策脉络已从“支持人工智能技术发展”进一步延伸至“算力基础设施建设”和“国产产业链自主可控”，AI 算力芯片作为大模型训练推理、智算集群建设和智能终端普及的核心硬件底座，有望在政策牵引下持续受益。
海内外大厂算力基建不断加码：海内外 CSP 资本开支加码正推动算力基础设施需求全面扩张。国内方面，阿里、腾讯、百度等头部互联网厂商自 2023 年底以来资本开支重回高增长通道，投资重心由传统云服务逐步转向智算中心建设，以支撑国产大模型训练、推理及参数迭代需求；同时，字节跳动成为国内 AI 基建投入的重要“隐形巨头”，字节 2025年资本开支约 1600 亿元、2026 年有望升至约 2000 亿元。海外方面，微软、谷歌、亚马逊、Meta 等头部 CSP 已进入“Hyper-Capex”周期，根据 Bloomberg 预测，2026 年资本开支预计合计突破 6000 亿美元，并维持较强增长态势。
国内Tokens 需求井喷式增长。基于 OpenRouter 榜单，全球 tokens 市场份额显著提升，需求端仍保持持续向好态势；从竞争格局看，2026 年 2 月以前，美国厂商在 tokens 需求中保持龙头地位，但自 2026 年 3 月起，中国厂商 tokens 需求首次实现超越，并逐步进入中美双雄并峙的二元格局。当前，美国厂商仍在龙头模型与应用生态上具备先发优势，但中国新兴 AI 公司快速崛起，尤其是 MiniMax、小米、StepFun、腾讯等企业的 tokens份额持续提升，带动国内 AI 应用侧需求加速释放。与此同时，榜单新增公司持续增多，反映出全球 AI 应用创新仍处于扩散期，未来有望维持较高景气度。
（来源：东吴证券20260623《金融产品深度报告：站在“光”里，存在“芯”里，拥抱设备》）
【存储：海外大厂加速扩产，存储供需配比短期仍将失衡】
近期，海外存储大厂加速投资扩产，反映 AI 存储需求强度已进入中长期规划周期。在 AI 服务器、HBM、服务器 DRAM 和企业级 SSD 需求持续扩张的背景下，三星、SK 海力士、美光等海外存储龙头正加快先进 DRAM、HBM 和配套封装产能布局。三星已推进 HBM4商业化，并预计 2026 年 HBM 销售额较 2025 年增长三倍以上，同时扩充 HBM4 产能；SK 海力士则规划在龙仁半导体集群和清州 M15X 等项目上扩充 DRAM 产能，目标到2030年将月度 DRAM 晶圆投入能力提升至接近 100 万片。大厂密集扩产本身验证了 AI 存储需求的持续性。
但存储扩产周期长、HBM 挤占晶圆资源，短期供需缺口难以快速弥合。根据东吴证券，由于封装难度高、良率爬坡复杂，HBM对DRAM的占用和其存储容量并非简单线性关系。随着 HBM3E 向 HBM4、HBM4E 迭代，AI 芯片单颗配套容量继续提升，HBM 对传统 DRAM 产能的排挤将进一步加剧。即便海外大厂已启动扩产，新增产能仍需经历厂房建设、设备进场、良率爬坡和客户认证等环节，难以在短期内完全对冲 AI 需求上行。由此，DRAM 供需偏紧不仅支撑 Conventional DRAM 涨价，也为 HBM 在 2027 年谈判中获取更强定价权提供了基础。
（来源：东吴证券20260623《金融产品深度报告：站在“光”里，存在“芯”里，拥抱设备》）
【科创芯片设计ETF汇添富（589290）：算力+存储含量高达74%】
科创芯片设计ETF汇添富（589290）标的指数为上证科创板芯片设计主题指数，指数94.09%的权重聚焦在数字芯片设计和模拟芯片设计上，其中数字芯片设计占比77.4%，模拟芯片设计占比16.7%。指数前十大成分股权重合计62.87%，主要集中在芯片设计及相关高附加值环节，包含澜起科技、海光信息、寒武纪等芯片设计龙头企业。
特别地，对于芯片设计两大核心环节——算力+存储，科创芯片设计ETF汇添富（589290）标的指数含量高达74%！
数据来源：Wind，中证指数公司，截至2026/4/30。指数成份股仅做展示，不构成个股推介，行业分布为申万行业分类
受益于较纯行业特征和科创板较宽的涨跌幅限制，科创芯片设计在近年的AI相关行情中体现出较高收益弹性。
数据截至2026/6/26。
AI算力需求爆发+存储芯片涨价超级周期+国产替代三重共振，芯片板块步入新一轮超级景气周期！科创芯片设计ETF汇添富（589290）聚焦产业链高价值量环节，算力+存储含量高达74%，有望充分受益于AI浪潮与自主趋势下的芯片产业链历史性发展机遇，20CM大长腿更有助于轻松把握本轮超级周期！
风险提示：基金有风险，投资需谨慎。本材料仅为宣传材料，不作为任何法律文件。我国基金运作时间较短，不能反映股市发展的所有阶段。投资有风险，基金管理人承诺以诚实信用、勤勉尽责的原则管理和运用基金资产，但不保证本基金一定盈利，也不保证最低收益。科创芯片设计ETF汇添富的标的指数（上证科创板芯片设计主题指数）2021-2025年涨跌幅分别为7.73%、-42,51%、4.75%、35.54%、60.00%。指数过往表现不预示未来表现，基金管理人管理的其他基金的业绩并不构成基金业绩表现的保证。投资人应当仔细阅读《基金合同》、《招募说明书》等法律文件以详细了解产品信息，基金管理人提醒投资人基金投资的“买者自负”原则。本基金属于中高风险等级（R4）产品，适合经客户风险承受等级测评后结果为进取型（C4）及以上的投资者，客户-产品风险等级匹配规则详见汇添富官网。在代销机构认申购时，应以代销机构的风险评级规则为准。特别声明：基金的过往业绩并不预示其未来表现，基金管理人管理的其他基金的业绩并不构成未来本基金业绩表现的保证。
