7月3日，半导体设备材料板块低开，再度下挫。北方华创、华海清科、中科飞测跌超4%，中微公司跌超2%，有研硅、晶瑞电材、南大光电等多只材料股下挫。芯片设计、晶圆制造板块相对强势，寒武纪、海光信息、中芯国际盘中飘红。

　　半导体设备ETF招商（561980）盘中跌超2%，标的指数中证半导“长鑫存储”含量55%，半导体设备ETF招商（561980）最近10个交易日内累计获资金净流入24亿元。

　　外围市场方面，纳指收跌，存储、半导体板块重挫大跌，闪迪跌超14%，西部数据跌超9%。韩股方面，SK海力士涨超2%，三星电子涨超4%。

　　根据国金证券，长鑫从2016年启动12英寸存储器项目，到经历晶圆厂建设、设备采购、工艺研发、良率爬坡、人才引进、客户认证和产品导入，前后承受了近十年的亏损和不确定，近期上市在即，逐步完成存储芯片国产创新和产业突围。长鑫存储目前是国内唯一实现17nm成熟DRAM量产的企业，2025年营收618亿元，2026Q1营收同比+719%，产能利用率长期维持90%以上，资本开支持续高位。

　　什么是HBM？

　　东吴证券指出，HBM凭借高带宽、低延迟、低功耗优势成为应对内存墙的核心技术，在AI服务器BOM中价值量占比快速提升。2025年HBM市场基本由SK海力士（占据市场份额58.3%）、三星和美光占据，海外龙头已陆续实现HBM4量产，国内长鑫存储预计明年实现HBM3e量产。此外，在AI算力需求拉动下，DRAM与NANDFlash现货价格均进入快速上行通道，DDR4（8Gb）2024年底到2026年6月涨幅超17倍，DDR5（16Gb）2025年11月至2026年6月底涨幅约4.9倍。

　　二、【2028存储CAPEX预计较25年增长150%，超级周期成主引擎】

　　数据方面，华泰证券统计全球31家半导体制造公司资本开支和25家半导体设备企业增长，预计2028年全球半导体制造企业资本开支有望达到3,417亿美元，较2025年的1,681.0亿美元大幅增长103.3%（实现翻倍）。

　　具体来看，资本开支的大幅上调直接传导至设备端，2028年全球前道半导体设备市场（WFE）规模达到2,414亿美元，较2025年增长约108%；2028年全球后道半导体设备市场规模约383亿美元，较2025年的161.6亿美元大幅增长136.9%。

　　其中，按半导体设备下游需求排序，存储（+150%）>晶圆代工（91.4%）。

　　存储资本开支2026-2028同比+49%/+36%/+24%，至1,151/1,560/1,937亿美元，三年CAGR约+36%。2028年存储资本开支较2025年的774.6亿美元大幅增长150.1%（增至2.5倍），其占总资本开支的比重也由2025年的46.1%大幅跃升至56.7%，成为本轮周期上修的核心驱动力。

　　展望后市，中泰证券认为，长鑫科技上市在即或构成新一轮上涨催化。

　　长鑫若上市后表现强势，将直接形成两条清晰的传导路径：一是直接拉动国产半导体设备板块的估值重估，二是带动科创50指数整体上行。

　　该机构指出，IPO会放大市场对相关赛道的关注，若新股上市后估值较高、涨幅较大，将为同产业链公司提供新的可比估值锚，带动存量标的重估。就本轮牛市而言，重大IPO上市消息公布，以及成功上市后市场均出现明显的资金聚集趋势。尤其半导体等硬科技IPO往往具备政策支持和地方产业资本背景，市场容易形成“产业趋势强化、一级资本退出、二级估值重塑”的共振。

　　以中证半导为例，2025年6月与12月，国产GPU龙头摩尔线程和摩尔股份分别取得重大IPO进展时，指数均展开上行攻势，这个趋势在2026年5月以来两存IPO加速阶段再次得到复刻。

　　半导体设备ETF招商（561980）跟踪中证半导，“长鑫存储”概念含量达55%。

　　指数全面覆盖中微公司、北方华创、拓荆科技等设备和沪硅产业、南大光电、中船特气等材料龙头（80%），以及寒武纪、海光信息、中芯国际等CPU/GPU和晶圆制造龙头（20%），前十大集中度近80%为同类最高，强者恒强效应下在同类指数中呈现更高反弹锐度。

　　数据显示，截至7月1日，该指数年内涨幅高达127%，2020年来累计涨幅达653.83%，在科创芯片（434.48%）、半导体材料设备（504.73%）、芯片产业（333.51%）等同类指数中位居第一。

数据来源：中证指数公司、Wind