截至2026年7月6日 13:12，上证科创板芯片指数(000685)强势上涨1.81%，成分股华虹宏力上涨9.41%，燕东微上涨8.91%，杰华特上涨8.30%，盛科通信，聚辰股份等个股跟涨。科创芯片ETF博时(588990)上涨1.36%，最新价报4.61元。拉长时间看，截至2026年7月3日，科创芯片ETF博时近2周累计上涨6.11%。
流动性方面，科创芯片ETF博时盘中换手4.65%，成交4211.37万元。拉长时间看，截至7月3日，科创芯片ETF博时近1年日均成交7551.54万元。
消息面上，美光科技在日本广岛正式启动晶圆厂扩建工程，项目总投资约1.5万亿日元（约93亿美元），用于生产高带宽存储器（HBM）等先进存储芯片，主要服务于AI处理器需求，预计相关产品将在2028年夏季左右开始出货。日本经济产业省将提供最高约5000亿日元补贴支持。该项目是美光全球AI存储产能扩张计划的一部分，公司同时在美国爱达荷州和纽约州推进大规模先进制程投资，以提升DRAM与HBM供应能力。
国金证券表示，AI算力需求催生HBM堆叠架构，使存储测试机需求量提升至传统DRAM的5-6倍，而当前国产化率仅8-10%，国内厂商有望充分受益于设备国产替代与行业扩容红利。
份额方面，科创芯片ETF博时最新份额达2.00亿份，创近1月新高。
从资金净流入方面来看，科创芯片ETF博时近6天获得连续资金净流入，最高单日获得7482.57万元净流入，合计“吸金”1.52亿元，日均净流入达2530.40万元。
科创芯片ETF博时紧密跟踪上证科创板芯片指数，上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。
数据显示，截至2026年6月30日，上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为寒武纪、澜起科技、中微公司、海光信息、中芯国际、源杰科技、佰维存储、拓荆科技、芯原股份、华虹宏力，前十大权重股合计占比60.51%。
科创芯片ETF博时(588990)，场外联接(博时上证科创板芯片ETF发起式联接A：022725；博时上证科创板芯片ETF发起式联接C：022726)。
