SK海力士（SK Hynix）在纳斯达克上市前夕，下调了美国存托凭证（ADR）的预计发行规模，从约290亿美元下调至约280亿美元。
值得注意的是，ADR发行总量维持不变，此次发行规模下调受近期股价影响。此次发行仍有望成为全球史上第二大IPO，仅次于SpaceX。
6月末，SK海力士修改原F-1注册文件，新增了一项重大法律风险，正式披露了美国反垄断集体诉讼风险。
SK海力士上市前下调发行规模
据SK海力士最新提交的监管文件，公司已将ADR预计发行规模从此前的约290亿美元下调至约280亿美元。
本次调整系公司将基准价格由6月23日收盘价255.5万韩元/股，调整为7月3日收盘价242.5万韩元/股。
截至7月6日收盘，SK海力士股价跌3.38%，报234.3万韩元/股，2026年内累计涨幅超260%。
SK海力士预计将于7月10日（周五）在纳斯达克挂牌交易，此次发行可能成为全球史上第二大IPO，次于SpaceX上市募得的857亿美元纪录。
募资所得将用于韩国龙仁半导体集群首座工厂的建设、清州P&T7先进封装工厂的建设，以及极紫外（EUV）光刻设备等芯片制造设备的购置。
据韩国投资证券6月25日发布的研报，SK海力士发行的美国存托凭证（ADR）有望于今年12月被纳入纳斯达克100指数。
SK海力士新增美国反垄断集体诉讼风险披露
6月末，SK海力士向美国证券交易委员会（SEC）提交了修改后的F-1注册文件，与原版比较，SK海力士在“风险因素”章节中新增了一项重大法律风险——美国反垄断集体诉讼。
诉讼显示，原告是常规DRAM间接购买者（终端消费者和企业买家），向美国加州北区联邦地区法院提起诉讼，将SK海力士和另外两家存储芯片制造商共同列为被告。
原告指控这三家厂商自2022年10月起合谋限制传统DRAM供应并人为抬高价格。诉讼称，三家厂商以向AI高带宽内存（HBM）转型为借口，系统性关停DDR3、DDR4等传统内存产线，导致传统DRAM价格在四年内累计大幅上涨，价格上涨已传导至终端产品。三家厂商合计掌控全球约九成的DRAM市场份额。
SK海力士在招股书里介绍，公司聚焦HBM，是因为AI需求爆发。SK海力士在战略定位中提出了一条技术驱动的增长逻辑链：从AI服务器需求爆发，到GPU算力激增，再到高带宽内存（HBM）供不应求，最终转化为高毛利率。
该诉讼目前为“推定反垄断集体诉讼”，需法院批准后方可正式转为集体诉讼。
