消息面上，2026年第一季度一般型DRAM合约价环比涨幅高达93%至98%，NAND Flash合约价环比上涨55%至60%；二季度涨势延续，DRAM合约价（含HBM）环比再涨53%至58%，NAND Flash合约价环比上涨55%至60%，预计三季度将分别再涨8%至13%和10%至15%。

　　DDR4（8Gb）现货平均价由2024年底的约8.1美元飙升至2026年6月底约140美元，涨幅超过17倍；DDR5（16Gb）自2025年11月产生现货报价以来，价格由20美元快速上涨至2026年6月底的117.5美元，涨幅约4.9倍。NAND Flash同样强势反弹，64Gb MLC现货价由2024年底的约4.3美元回升至2026年6月的约28.2美元，涨幅约6.5倍。

　　招商证券指出，海外原厂通过长期协议（LTA）锁定了大量未来产能，且对资本开支保持高度纪律性，预计2026年下半年存储合约价仍将延续上涨态势，尽管环比增速可能放缓至高个位数至低两位数区间，但价格维持高位将是大概率事件。

　　截至2026年7月9日 09:50，国证半导体芯片指数(980017)强势上涨2.16%，成分股兆易创新上涨7.38%，北京君正上涨5.86%，沪硅产业上涨5.20%，中微公司，澜起科技等个股跟涨。半导体ETF鹏华(159813)上涨2.01%，最新价报1.93元。科创芯片ETF鹏华(588920)上涨1.23%， 冲击4连涨。最新价报2.89元。

　　半导体ETF鹏华紧密跟踪国证半导体芯片指数，为反映沪深北交易所芯片产业相关上市公司的市场表现，丰富指数化投资工具，编制国证半导体芯片指数。

　　数据显示，截至2026年6月30日，国证半导体芯片指数(980017)前十大权重股分别为兆易创新、寒武纪、北方华创、澜起科技、海光信息、中微公司、中芯国际、佰维存储、源杰科技、长川科技，前十大权重股合计占比66.79%。

　　半导体ETF鹏华(159813)，场外联接(A：012969；C：012970；I：022863)。