盘面上，两市高开震荡，芯片设计概念上涨。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中涨2.40%，成交额达5605.26万元；换手率达2.25%。成分股中，普冉股份、英集芯、联芸科技、澜起科技涨超5%，佰维存储、睿创微纳、聚辰股份等多股跟涨。
值得关注的是，Wind显示，科创芯片设计ETF天弘（589070）近20个交易日（2026年06月10日—2026年07月08日）实现连续"吸金"，最近30个交易日累计获资金净流入20.01亿元。截至2026年07月08日，该基金最新规模为24.40亿元，再创上市以来新高，为同标的全市场第一。
聚焦科创芯片设计核心领域，政策持续保驾护航，紧抓AI等新兴领域驱动带来的上游投资机会，科创芯片设计ETF天弘（589070）跟踪标的指数涵盖五十只科创芯片设计领域上市公司，成份股集中度高，单日最大涨跌幅达20%。随着上游推理需求的持续高速增长和国产替代持续提升，板块配置价值凸显。该ETF还配备了2只场外联接基金（A类：027574；C类：027575）。
消息面上，据券商中国，7月9日凌晨，国内DRAM龙头企业长鑫科技公布科创板IPO招股意向书，预计7月16日发行新股，申购代码787825。 据公告，公司初始发行66.88亿股，募资295亿元，用于存储器晶圆制造及DRAM技术升级项目。 长鑫科技已实现DDR4、DDR5等全系列DRAM量产，覆盖服务器、移动设备等主流市场。 业绩预告显示，2026年上半年公司营收预计达1100亿至1200亿元，净利润预计500亿至570亿元，增长主要受全球算力需求及DRAM供不应求推动。
申万宏源证券指出，芯片设计不再单纯依赖线宽缩微，而是转向以等效晶体管密度为核心的时间缩放，华为“韬定律”通过逻辑折叠与3D堆叠实现了性能跃升。
