7月8日下午，拓荆科技召开2026年第一季度业绩说明会，公司高层就产能利用率、产品市占率、收购进展、未来战略规划等多方面问题和投资者进行了交流。

　　在业绩会上，公司产能利用率情况、当前订单是否饱满？毛利率修复的时间表等问题被投资者率先提及。

　　拓荆科技董事长吕光泉表示，目前公司整体产能利用率保持在良性健康水平，截至2025年12月31日，公司在手订单金额约110亿元。

　　“公司先进产品已经进入规模化量产阶段，2026年一季度毛利率回升，后续毛利率预计趋于平稳。”他分析称。

　　拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合等三维集成设备产品，已广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。

　　财报显示，2025年实现营业收入65.19亿元，同比增长58.87%；归母净利润9.27亿元，同比增长34.67%；今年一季度，公司实现营业收入11.12亿元，同比增长56.97%；同期实现归母净利润5.71亿元，同比增长488.29%。

　　在产品层面，投资者首先关注的是：公司当前薄膜设备市场占有率情况以及未来产能规划等。

　　吕光泉介绍，根据SEMI统计，2025年中国大陆薄膜沉积设备市场规模约93亿美元，其中PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型， 约占整体薄膜沉积设备市场的33%，ALD设备占比约为11%，而SACVD、 HDPCVD、 Flowable CVD属于其他薄膜沉积设备类目下的产品，占比约为6%。上述公司已覆盖产品，市场份额合计占薄膜沉积设备市场约50%，国内市场规模约为46.5亿美元。2025年公司实现营业收入65.19亿元人民币，占国内可触达产品市场比例约为20%左右。公司未来将立足技术研发和产品性能，持续提高市场占有率。

　　谈及产能规划，他表示，公司现有沈阳和上海两个生产基地投入使用，可以满足现有产能需求。2025年已经开始建设沈阳二厂，预计2028年可以投入使用，为后续产能需求提供支撑。

　　其次，在细分产品方面，PEVCD/ALD设备目前进展和放量情况亦受到投资者追问。

　　对此，吕光泉阐述，2025年，公司面向先进制程开发的PECVD Stack（ONO 叠层）、ACHM以及PECVD Bianca等先进工艺设备已实现产业化放量，持续获得客户复购订单；公司ALD设备在存储芯片、 逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升，其中，PE-ALD多款SiO2、SiN、SiCO工艺设备客户端放量，Thermal-ALD在持续拓展新工艺，并陆续获得订单、出货，其中首台TiN工艺产品已通过客户验证，截至2025年末，公司ALD设备累计出货超过140个反应腔。

　　6月26日晚间，拓荆科技披露正在筹划以发行股份及支付现金的方式购买“无锡尚积”的控股权并募集配套资金。后者主业半导体薄膜沉积与刻蚀设备的研发、生产和销售，主要产品包括PVD（物理气相沉积）、ETCH（刻蚀）、CVD（化学气相沉积）等核心半导体设备。

　　在本次业绩会上，投资者对此提问：收购尚积半导体进展如何？并关注后续公司产品线的布局和扩展策略？

　　吕光泉答复，公司及有关各方正在积极推进本次交易的相关工作，停牌时间不超过10个交易日。

　　“公司目前仍围绕高端半导体薄膜沉积技术及三维集成领域深耕布局，在薄膜沉积设备领域，形成了PECVD、ALD、SACVD、 HDPCVD、 Flowable CVD 等产品系列，在三维集成领域，已经形成了晶圆对晶圆混合键合、熔融键合、芯片对晶圆混合键合及相关量检测产品，未来将围绕先进制程需求，持续拓展薄膜沉积工艺覆盖面，同时，积极拓展三维集成领域产品，为三维集成领域提供全面的技术解决方案。”他阐述。