拟募资295亿元、刷新2026年以来A股最大IPO纪录的国产DRAM龙头长鑫科技，进入上市倒计时。

　　7月9日凌晨，长鑫科技披露科创板上市招股意向书，确定7月16日启动网上申购，IPO进程进入最后倒计时。

　　AI算力爆发带火了整条存储赛道，也让长鑫科技迎来了改写全球DRAM产业格局的历史窗口。但就在其登陆资本市场的关口，三星、SK海力士两大韩系巨头已联手抛出规模空前的扩产计划，巨头重兵压境之下，这家国产存储龙头的突围之路备受市场关注。

　　IPO时间表落定

　　长鑫科技披露了最新的上市发行时间表。

　　据公告，公司将于7月13日进行初步询价，7月15日刊登发行公告，7月16日正式启动申购，7月20日完成缴款。有证券行业人士对《华夏时报》记者表示，长鑫科技大概率将于7月下旬正式在科创板挂牌。

　　招股书显示，本次IPO长鑫科技拟初始公开发行股票66.88亿股，占发行后总股本的比例约为10%（超额配售选择权行使前），全部为公开发行新股，不设老股转让。本次发行授予保荐机构中金公司不超过初始发行股份数量15%的超额配售选择权，若全额行使，发行总股数将扩大至76.91亿股。

　　值得注意的是，长鑫科技本次发行初始战略配售数量为33.44亿股，占初始发行数量的50%。其中，377位核心员工将参与战略配售，覆盖研发、制造、市场等核心技术与管理岗位。

　　回顾长鑫科技的IPO进程，从申请获受理到证监会注册生效仅用时165天，推进速度远超市场平均水平。

　　2025年7月，长鑫科技启动科创板上市辅导，由中金公司与中信建投联合保荐；当年10月通过上市辅导验收，12月30日IPO申请获上交所受理；2026年3月，长鑫科技IPO曾因财务资料到期而中止审核，5月17日完成财务数据更新后恢复；5月27日其IPO通过上交所上市委审议，6月12日获证监会注册批复。

　　在快速推进IPO进程背后，市场普遍期待长鑫科技能复制海外存储巨头的股价行情。

　　以韩国两大存储巨头为例，5月6日三星电子市值突破1500万亿韩元（约合6.8万亿人民币），成为继台积电之后第二家迈入万亿美元市值门槛的亚洲科技企业。6月1日三星电子股价涨超10%，盘中市值最高触及2037万亿韩元，这是韩国股市历史上首次有单一上市公司市值突破2000万亿韩元大关。6月22日更聚焦存储赛道的SK海力士市值登顶韩国股市，历史上首次超越三星电子。作为HBM（高带宽内存）的主导供应商，SK海力士也被资本市场视为AI算力基础设施建设的最大受益者之一。

　　AI催生存储行情高涨

　　资本市场的热烈预期，源于存储芯片正处于AI驱动的超级景气周期。长鑫科技今年也交出了一份远超市场预期的高增长成绩单。

　　招股书披露，2026年第一季度，长鑫科技实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，同比增长1688.3%，单季盈利已超过2025年全年水平。长鑫科技同时预计，2026年上半年实现营业收入1100亿元—1200亿元，同比增长612.53%—677.31%；归母净利润500亿元—570亿元，同比增长2244.03%—2544.19%。

　　而在此前，亏损曾是长鑫科技的经营常态。截至2025年末，2016年成立的长鑫科技累计亏损达366.5亿元，直至2025年第四季度才实现单季扭亏为盈。

　　行业景气度也可从海外巨头的业绩中得到印证。三星电子近日发布的2026年第二季度业绩指引显示，当季预计销售额达171万亿韩元，同比增长129%；营业利润高达89.4万亿韩元，同比激增1810%，同样印证了存储芯片的高景气度。

　　智参智库特聘专家袁博认为，存储企业今年业绩大幅上涨，本质是AI需求驱动存储芯片供需失衡，是市场需求持续走高与生产成本持续下降的双重叠加结果。

　　他向《华夏时报》记者表示，一方面存储价格从2025年起持续上行，叠加市场供不应求，部分渠道出现芯片恐慌性囤货现象；另一方面，长鑫科技不断扩充产能、提升生产良品率，高毛利的高端产品销售占比显著提升，大幅摊薄了前期巨额投入形成的固定成本，企业利润率随之走高。

　　TrendForce集邦咨询报告显示，2026年一季度，一般型DRAM合约价环比上涨93%—98%，二季度一般型DRAM合约价环比上涨58%—63%。

　　现货端价格涨幅更为惊人。据东吴证券研报，DDR4（8Gb）现货均价从2024年底的约8.1美元攀升至2026年6月底的约140美元，累计涨幅超16倍；DDR5（16Gb）自2025年11月出现现货报价以来，价格从20美元快速上涨至2026年6月底的117.5美元，累计涨幅约4.9倍。

　　巨头环伺下的突围路径

　　当前三星、SK海力士、美光三大巨头正将大量产能向高毛利的HBM等AI存储产品倾斜，长鑫科技正试图抓住这一轮产能格局调整的时间窗口。

　　据Omdia统计，2025年第二季度，按DRAM销售额口径统计，长鑫科技全球市占率为3.97%，位列全球第四；到2026年第一季度，其市占率已提升至8%。

　　招股书显示，长鑫科技目前在合肥、北京两地布局3座12英寸DRAM晶圆厂。广发证券2026年5月研报显示，截至2025年末，长鑫科技合肥、北京基地DRAM合计月产能约28万片（12英寸等效）。而在本次IPO计划募资的295亿元中，也有75亿元计划用于存储器晶圆制造量产技术升级改造项目。

　　不过从全球市场看，三星、SK海力士、美光三家巨头仍合计占据全球DRAM市场九成以上份额。就在长鑫科技冲刺IPO的同时，全球存储产业的长期竞争格局正发生剧烈变化。

　　6月29日，韩国政府宣布了一项震动全球半导体产业的产业计划：三星电子与SK海力士两家存储巨头将在韩国西南部投入约800万亿韩元（约合5180亿美元）建设四座半导体晶圆厂，目标五年内将DRAM生产能力翻倍。据记者了解，新工厂将主攻DDR5、HBM等AI算力核心存储产品，预计2034年至2035年实现量产。

　　当天，三星电子与SK海力士还各自公布了包括上述晶圆厂投资在内的规模更大的中长期投资计划：前者总投资规模达2665万亿韩元（约合11.68万亿元人民币），后者达1100万亿韩元（约合4.84万亿元人民币）。

　　在韩国扩产冲锋之下，长鑫科技该如何突围？

　　多位业内人士在与本报记者交流时表示，通用DRAM市场的供给缺口短期内难以弥合，长鑫科技仍享有宝贵的发展窗口期。此前业界也有消息称，苹果正在测试长鑫科技的DRAM芯片。

　　深度科技研究院院长张孝荣对本报记者表示，长鑫科技的突破路径在于：抓住本轮行业超级周期，利用巨头产能向HBM等AI存储倾斜导致通用存储缺货的窗口期，快速扩充DDR4/DDR5等主流产品产能，同时依托国产替代趋势深耕本土市场提升份额，巩固盈利拐点。

　　而在仍存技术差距的HBM领域，袁博对本报记者表示，目前国内存储芯片企业的最大短板集中在HBM领域。HBM对制程工艺要求极高，受EUV光刻机进口限制影响，国内企业在该领域的技术差距至少需要3到5年才能追赶，这一进程高度依赖国产半导体设备的技术突破。

　　对长鑫科技而言，本轮存储行业超级周期既是业绩红利期，也是追赶全球第一梯队的关键窗口期。能否在韩系巨头新增产能落地前完成产能爬坡、技术迭代与供应链自主能力的全面升级，将直接决定它在全球存储行业新格局中的位置。