在经历了前一日的暴跌冲击后，韩国股市强劲反弹，韩国综合股价指数（KOSPI）和韩国创业板市场（KOSDAQ）的临时停牌机制，程序化交易暂停5分钟。

　　市场波动似乎仍在不断加剧，以至于在KOSDAQ昨触发卖盘熔断机制仅仅一天后，市场安全机制就朝着完全相反的方向运行。韩国KOSPI指数今日一度大涨近7%，截至发稿涨幅收窄至约6%。三星电子涨逾6%，SK海力士涨超11%，其隔夜于美股市场暴涨27%。

　　前一日，韩国股市上演“过山车”行情。韩国KOSPI指数盘中跌逾5%，韩国交易所启动SIDECAR机制，暂停KOSDAQ程序化卖盘。午后，韩国金融监管部门将于周四举行高级别会议的消息发酵，带动指数“Ⅴ形”反弹，KOSPI指数最终收涨0.73%。而就在本周一（7月13日），KOSPI指数今年第7次触发熔断。

　　纽约股市隔夜收高，此前公布的美国6月消费者价格指数（CPI）低于预期，缓解了市场对美联储进一步收紧货币政策的担忧。标普500指数上涨0.4%，纳斯达克指数上涨0.9%，道指小幅上涨。科技股（包括半导体）表现强劲，加上高盛等大型银行盈利稳健，提振了投资者信心。

　　此外值得注意的是，SK海力士在美国上市的ADR股价飙升27%，领涨美国国内半导体股。不仅完全收复前一日9.3%的跌幅，还将ADR相对首尔上市普通股的溢价推升至51%。这一溢价水平远超上周发行时约3%的价差，而彼时该公司通过此次ADR发行募资265亿美元。

　　分析指出，溢价骤然扩大在一定程度上是因为，韩国本地股与ADR之间存在转换的限制，传统套利难以低成本实施。周二美国各大期权交易所正式提供SK海力士ADR期权产品，进一步刺激了交投热情，短期看涨期权成为资金最密集的攻击方向。

　　此前，由于对人工智能投资持续性的担忧，存储半导体行业经历了一段回调期，而投资者对该行业的信心似乎正在部分恢复。在美国市场，美光等存储相关股票也表现强劲，表明市场对整个行业的预期已经回升。

　　最后，巴克莱乐观的展望被认为是当日股价上涨的最大推动因素。巴克莱分析师Simon Coles给予SK海力士美国存托凭证（ADR）“增持”评级，并将目标价设定为330美元。

　　Coles预测，DRAM供应短缺将在2027年进一步加剧，即使到了2028年也难以迅速解决，因为内存供应的增长速度跟不上人工智能数据中心投资扩张的步伐。这表明，内存半导体市场很可能比预期更长时间地保持繁荣。

　　巴克莱还特别指出，SK海力士ADR的目标市盈率为8倍，低于其美国竞争对手美光科技，并认为该股仍被低估。