7月15日，上海证券交易所对外披露了长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市发行公告。公告内容显示，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称：长鑫科技）发行价格为8.66元/股，股票代码为“688825”，本次发行网上申购代码为“787825”。本次发行采用战略配售、网下发行和网上发行相结合的方式进行，投资者可按此价格在7月16日进行网上和网下申购。
发行价对应市盈率远超行业平均值
长鑫科技的IPO申请是在2025年12月30日正式获得上海证券交易所受理的；5月27日，上海证券交易所上市审核委员会召开2026年第27次审议会议，审议长鑫科技的IPO申请；6月12日，中国证券监督管理委员会同意长鑫科技首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。
图片来源于上海证券交易所网站截图。
据了解，本次初始发行股份数量约为6688088.6077万股，占发行后总股本约10.00%，并授予中金公司不超过初始发行股份15.00%的超额配售选择权。
尽管从绝对值看，本次长鑫科技的发行价格不高，但公司也同时提醒，根据《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），长鑫科技所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39）”。截至2026年7月13日（T-3日），中证指数有限公司发布的该行业最近一个月平均静态市盈率为76.32倍。本次发行价格8.66元/股对应的发行人2025年扣除非经常性损益前后孰低的未行使超额配售选择权的摊薄后市盈率为 308.92 倍，假设全额行使超额配售选择权后本次发行后市盈率为 313.56 倍，高于中证指数有限公司发布的发行人所处行业最近一个月平均静态市盈率76.32倍，高于同行业可比公司2025年扣除非经常性损益后的平均静态市盈率134.62倍。
募资主要投向产线技改及DRAM前瞻研发
总部位于安徽合肥的长鑫科技创立于2016年，是国内主要的DRAM（动态随机存取存储器）研发、设计和制造一体化企业之一。经过多年发展，长鑫科技成功突破了DRAM关键核心技术并顺利实现产品自主研发、设计和商业化量产，填补了中国大陆DRAM产品在全球市场上的长期空白。基于Omdia数据测算，按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至7.67%，并有望随着技术发展及产能建设实现进一步增长。
数据来源：iFind，Bloomberg，数据截至2026年7月13日（T-3日）。（图片来源于长鑫科技发行公告）
长鑫科技在招股意向书中称，目前，公司产能规模已位居中国第一、全球第四，但距离DRAM行业前三家国际头部厂商仍有一定差距，且产能规模亦远低于国内庞大的市场需求。随着本次上市募集资金建设项目的稳步推进，公司将加速工艺升级，从而实现更低的单位成本，更强的市场竞争力及盈利能力，更有效地满足未来全球下游市场旺盛的需求，助力公司在全球DRAM市场中占据更有利的地位。
本次IPO，长鑫科技将募资主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、动态随机存取存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目
存储市场国产“双子星”冉冉升起
集成电路是支撑经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。存储芯片作为集成电路产业发展的战略基础性产品，是数字经济时代的核心芯片之一，也是国家信息基础设施战略安全的重要基石。在存储芯片领域，最为熟知的包括DRAM（含HBM）这类易失性存储器和NAND 闪存这类基于Flash存储技术的非易失性存储器。
据了解，我国是全球存储芯片的主要消费市场，但存储芯片的供应长期被国外厂商所垄断。根据Omdia的数据，基于销售额测算，2025年三星电子、SK海力士和美光科技在全球DRAM市场的占有率分别为33.96%、34.48%和23.41%，上述三家企业合计占全球DRAM市场90%以上的市场份额，本土品牌DRAM产品自给率仍较低。在NAND闪存领域，也呈现类似的市场格局，三星、SK海力士、铠侠、美光、闪迪等五大品牌合计占整个市场份额超过九成。在国内企业中，长鑫科技专攻DRAM，长江存储则专攻NAND，经过多年发展，已成功打破国外垄断，在全球市场拥有了一定份额。
当前，全球存储行业正经历AI算力需求爆发催化的高景气周期。借此浪潮，以长鑫科技、长江存储为代表的中国“存储双子星”已成为全球存储市场不可忽视的参与者。
曾长期深陷亏损泥潭的长鑫科技直到去年，才成功扭亏为盈。进入2026年，长鑫科技的发展气势如虹。招股说明书显示，2026年一季度，长鑫科技实现营收508.00亿元，同比增长719.13%；净利润为330.12亿元，同比增长1268.45%，相当于每天赚3.67亿元；归属于母公司所有者的净利润为247.62亿元，同比增长1688.30%，一个季度的利润就相当于2025年全年的13倍；扣除非经常损益后归属于母公司所有者的净利润263.41亿元，同比增长1993.41%。公司同时披露，预计2026年1-6月的营收介于1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；净利润为660亿元至750亿元，同比增长1714.67%至1934.85%；归属于母公司所有者的净利润将介于500亿元至570亿元之间，同比增长2244.03%至2544.19%；扣除非经常损益后归属于母公司所有者的净利润为520亿元至580亿元，同比增长2278.89%至2530.30%。
长鑫科技对此解释称，一季度业绩的大涨主要是受全球算力需求持续增长、全球主要厂商产能调配等因素影响，全球DRAM产品供不应求，价格自2025年下半年以来持续呈现大幅上涨趋势，以及公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化。
与此同时，在NAND 闪存赛道，快速崛起的长江存储也备受关注。
公开资料显示，长江存储于2016年在武汉成立，是目前中国大陆唯一专注3D NAND闪存的IDM（设计制造一体化）企业。凭借自研架构，已实现232层3D NAND闪存的规模化量产，294层等效工艺亦取得突破，产品覆盖消费电子、服务器、数据中心等关键领域。2025年，长江存储以1600亿元估值登上《胡润全球独角兽榜》，位列中国十大独角兽、全球第21位，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。
图片来源于Counterpoint Research。
来源于市场研究机构Counterpoint Research发布的2026年第一季度全球NAND、DRAM、HBM存储市场份额数据显示，受国内厂商强劲需求和供应短缺导致的价格上涨的推动，长江存储在全球NAND市场份额从一年前的8%上升至13%。在全球DRAM市场，长鑫存储的市场份额占比达 8%，较 2025 年同期的 3% 实现了显著增长。
7月10日，中国证券监督管理委员会官网披露长江存储首次公开发行股票并上市辅导工作进展情况报告（第一期）。信息显示，本轮上市辅导期为2026年5月19日至6月30日，由中信证券和中信建投证券联合担任辅导机构，共派出31人组成辅导工作小组，围绕公司治理、规范运作、信息披露等方面开展辅导。下一步，工作小组将针对发现的问题研究确定规范方案并督促落实。
