7月15日，国产DRAM存储芯片龙头企业长鑫科技科创板上市网上投资者交流会在上海证券报·中国证券网、上证路演中心举行。根据安排，公司将于7月16日开启网上申购，距离登陆A股更进一步。

　　路演现场，长鑫科技董事长朱一明在回顾公司发展历程时，数次提到“坚定自主创新”。自2019年推出首颗自主设计的8Gb DDR4芯片，实现中国DRAM产业“从0到1”的历史性突破以来，长鑫科技坚持高强度研发投入，采取跳代研发策略，快速完成从第一代到第四代工艺平台的量产，实现DDR5、LPDDR5/5X等产品的覆盖和迭代。

　　“怀揣补齐短板、保障供应链安全的初心，我们选择走上一条重投入、长周期、高难度的自主研发之路。”朱一明说，“每一次技术突破的背后，都凝聚着无数长鑫人的坚守与付出，也见证着中国存储产业不断向前迈进的坚定步伐。”

　　据Omdia数据，全球DRAM市场规模有望从2025年的1505亿美元增长至2030年的5710亿美元，年均复合增长率达30.56%。然而，全球DRAM市场高度集中，主要被三星、SK海力士、美光等国际头部厂商占据，合计市场份额超过90%。

　　朱一明表示，在此背景下，持续推动产品与制程工艺的创新迭代、始终保持行业领先的技术水平，已成为在高度竞争的DRAM领域中维持生存与提升产品竞争力的核心要素。公司作为中国DRAM产业的龙头企业，产能规模已位居中国第一、全球第四，突破了DRAM关键核心技术并顺利实现产品自主研发、设计和商业化量产。

　　目前，长鑫科技的DRAM产品主要应用于移动设备、服务器及个人电脑领域。受益于数据中心等基础设施建设需求持续快速增长，公司把握行业发展趋势，于2024年底推出DDR5等更新代际产品并快速实现客户导入，应用于服务器领域的DRAM产品收入实现快速增长，年均复合增长率达536.24%。

　　当被问及技术难点，朱一明表示：“DRAM具有极高的技术门槛，制造过程涉及光刻、刻蚀、薄膜沉积、扩散及离子注入、化学清洗、化学机械抛光等数百道复杂而精密的工序，每一环节都对最终产品性能具有重要影响，必须通过严格的质量控制，才能确保最终芯片产品具备良好的性能及稳定的运行表现。”

　　在对精密制造极致追求的同时，长鑫科技的产能扩张也稳步推进。目前，长鑫科技在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。在产品矩阵方面，公司已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，可提供内存DRAM晶圆、芯片、模组等多样化产品方案。

　　“公司计划推出更新代际产品，以支撑未来新一代信息技术产业快速发展的需求，随着产线建设的稳步推进，整体产能将持续提升，预计将进一步提升公司在全球市场的竞争力。”朱一明说。

　　面对DRAM行业的周期性特征，朱一明并未回避：“2025年下半年以来，公司的业绩增长确实受益于AI驱动的DRAM需求爆发及行业供需紧张，但DRAM行业具有强周期性，价格波动较大，且AI发展对DRAM市场需求存在不确定性。若宏观经济发生不利变化、AI需求不及预期或新产能集中释放，行业可能重回下行周期。”他表示，公司将持续通过技术迭代、产能优化和成本管控提升抗周期能力。

　　“登陆资本市场对长鑫科技而言，既是新的起点，更意味着新的责任。”朱一明表示，希望通过本次募集资金投资项目，进一步提升公司技术研发能力和产业化水平，增强对市场需求的保障能力。同时，发挥龙头企业的带动作用，促进产业链协同发展，为国内集成电路产业生态建设贡献更大力量。

　　面向未来，朱一明表示，长鑫科技将始终坚持自主创新的发展道路，继续保持对技术的敬畏、对创新的投入和对产业的热爱，持续提升核心竞争力，努力建设具有全球影响力的半导体存储企业。