机构:预测2030年全球DRAM缺口达28.7EB 存储芯片市场或迈入长期供需紧张周期
来源:科创板日报
市场研究机构Citrini Research最新预测,到2030年,全球DRAM市场仍将出现大规模供应缺口,规模预计达28.7EB,约占当年总需求的18%,对比今年全球总产能约40EB。根据Citrini的研究员Zephyr分享的数据,2030年全球DRAM(含HBM)需求预计达157.5EB,供应能力仅约128.8EB;其中普通DRAM将是最大瓶颈,预估供应约每年91EB,需求却高达120EB,缺口比例将从目前的18%扩大至25%左右。报告强调,即便三星、SK海力士、美光及中国厂商持续扩产,新增产能仍可能被飞涨的AI需求快速吸收。造成供需失衡的核心在于AI基础设施爆发,因大模型训练推理、HBM成为AI加速器核心,连带推升传统服务器DRAM需求。在紧平衡下,DRAM平均售价(ASP)可能长期维持高位,预计落在每Gb1.5-2美元,伺服器、PC及消费电子存储芯片成本将持续承压。
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