美股费城半导体指数暴涨超5%!科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数大涨超2.5%,成交超1.89亿元为同标的第一
来源:每日经济新闻
盘面上,两市震荡走高,芯片设计概念上涨。相关ETF方面,科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数盘中涨2.51%,成交额达1.89亿元,为同标的第一;换手率达8.99%。成分股中,炬芯科技、盛科通信-U、裕太微-U、纳芯微、中科蓝讯涨超5%,中微半导、东芯股份、思瑞浦等多股跟涨。
科创芯片设计ETF天弘(589070)最近30个交易日累计获资金净流入19.67亿元。截至2026年07月21日,该基金最新规模为20.72亿元,为同标的全市场第一。
聚焦科创芯片设计核心领域,政策持续保驾护航,紧抓AI等新兴领域驱动带来的上游投资机会,科创芯片设计ETF天弘(589070)跟踪标的指数涵盖五十只科创芯片设计领域上市公司,成份股集中度高,单日最大涨跌幅达20%。随着上游推理需求的持续高速增长和国产替代持续提升,板块配置价值凸显。该ETF还配备了2只场外联接基金(A类:027574;C类:027575)。
消息面上,据中国基金报,美股费城半导体指数暴涨超5%,闪迪、SK海力士及美光科技等存储芯片股强势反弹。
国金证券认为,2026年Q3将成为海外算力核心加速节点,英伟达Vera Rubin平台投产带动AI训练性能大幅提升,同时谷歌TPU v8等自研ASIC集体部署,预计2028年ASIC出货量将超越GPU。 硬件端迎来价值重估,单机柜PCB价值量暴涨,1.6T光模块成为放量主线,液冷、电源与电容三大赛道共享功耗提升逻辑,是确定性最强的配套环节。
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