7月24日，三大指数低开，半导体设备、先进封装、存储芯片等板块V型拉升。截至发文，半导体设备ETF招商（561980）直线拉升，涨近1.8%，此前一度低开2%。成分股方面，至纯科技涨停，上海合晶、中船特气分别涨超9%、6%，中科飞测、长川科技、拓荆科技、北方华创涨超2%，中微公司、中芯国际等跟涨。

　　业内人士指出，近期AI基建利好催化较多，国内长鑫科技下周一上市在即，国外云厂商陆续公布财报加大AI开支。从资金面来看，Wind数据显示，半导体设备ETF招商（561980）昨日单日获资金净流入近2亿元。

　　一、海外AI科技龙头财报大超预期

　　受谷歌加大AI支出利好刺激，隔夜美股存储概念股逆市走高，美光科技涨3.2%，SK海力士美股涨2.56%，闪迪涨0.69%。但下游谷歌、特斯拉等重挫，万得美国科技七巨头指数跌3.86%。

　　当地时间周四盘后，全球半导体巨头英特尔公布二季报，实现营收161.3亿美元，同比大涨25.4%，创下近14年以来单季营收最强增速，同时第三季度指引大幅超出市场预期。

　　业内人士指出，由于通用CPU需求井喷，英特尔数据中心及AI业务营收同比猛增59%，达公司整体增速的两倍以上。此外，此前谷歌发布好于市场预期的二季报，云业务营收同比增长82%，这两者均表明AI正为产业龙头带来真实的业绩增量。同时谷歌资本开支加速扩张，将2026全年资本开支指引上调至1950亿–2050亿美元，提振了上游AI基建的市场情绪。

　　浦银国际指出，谷歌资本开支的持续高企，增强了芯片、服务器及数据中心配套产业链的需求确定性。当前市场正聚焦超大规模云厂商的二季度资本开支指引，这印证了AI基础设施建设周期正加速演进。AI主线地位再获确认，短期有望提振市场风险偏好。

　　二、长鑫下周一上市，上游设备材料绑定扩产

　　国内方面，A股年内最大IPO长鑫科技公告，将于7月27日在科创板上市，发行价格为8.66元/股，发行后总股本为668.81亿股。据中泰证券研报，长鑫科技目前已是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM原厂，位居全球第四，全球营收份额增至7.7%。

　　该机构指出，中国DRAM市场需求规模预计约占全球的34%，根据长鑫营收份额计算，2026Q1自主研发率约23%。2026Q1三星、海力士和美光三大原厂合计营收份额90%，海外寡头常年高度垄断，未来DRAM市场国产化空间广阔，长鑫有望引领浪潮。

　　根据公告，假设长鑫全额行使超额配售选择权，预计本次发行后市盈率为313.56倍，高于所处行业最近一个月平均静态市盈率（76.32倍），也高于同行业可比公司2025年扣除非经常性损益后的平均静态市盈率（134.62倍）。

　　半导体设备ETF招商（561980）跟踪中证半导，覆盖中微公司、北方华创、拓荆科技等设备龙头和沪硅产业、南大光电、中船特气等材料龙头（80%），以及寒武纪、海光信息、中芯国际等CPU/GPU和晶圆制造龙头（20%），“长鑫存储”概念含量近60%，多家权重股在长鑫供应链中处于核心卡位，提供指数化布局方案。

　　当前上游设备材料与长鑫上市扩产协同绑定。据东吴证券研报，中微公司存储敞口60%—70%，整体新签订单增长超50%，拓荆科技存储敞口60%—70%，为扩产核心受益标的。随着长鑫产能持续爬坡及工艺节点不断升级，设备材料环节有望持续受益于资本开支扩张和国产化率提升。

　　数据显示，半导体设备ETF招商（561980）昨日单日获资金净流入近2亿元，最新规模66.35亿元。截至7月23日，该ETF标的指数中证半导自2020年至今累计涨幅492%，在科创芯片（320%）、半导体材料设备（342%）等同类指数中位居第一。